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公开(公告)号：CN101915624B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010163419.0
申请日：2010-05-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种实时监测晶体管温度的热表征方法及结构，属于表征晶体管热效应的监测技术领域。该方法通过在晶体管栅上设置一材料层，材料层与晶体管栅构成P-N结，利用P-N结的IV特性测得晶体管器件的温度。本发明将单个器件与高灵敏度的温控二极管结合，因PN结位于沟道上方的多晶硅栅上，更真实地接近器件的实际温度，可实时监测器件温度，操作简单。在大规模晶体管阵列中，该结构用于解决实时监控芯片温度和热点分布等问题的同时，可对器件局部区域进行加热，据此分析器件的可靠性和电路失配等问题，除此之外，该结构面积与器件尺寸相当，可集成于芯片。
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公开(公告)号：CN102315170A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110138735.7
申请日：2011-05-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8234 , H01L21/762 , H01L21/311 , B82B3/00
CPC classification number: H01L29/66772 , H01L29/42392 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提出一种基于湿法腐蚀制备硅纳米线场效应晶体管的方法，包括：定义有源区；淀积氧化硅薄膜作为硬掩膜；并形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构；通过刻蚀硅工艺，将硬掩膜上的图形结构转移到硅材料上；抑制底管离子注入；通过湿法腐蚀硅材料，悬空连接源漏的硅细线条；将硅细线条缩小到纳米尺寸形成硅纳米线；淀积多晶硅薄膜；通过电子束光刻形成多晶硅栅线条，跨过硅纳米线，并形成全包围纳米线的结构；通过在衬底上淀积氧化硅薄膜和接下来的刻蚀氧化硅工艺，在多晶硅栅线条两侧形成氧化硅侧墙；通过离子注入和高温退火，形成源漏结构，最终制备出纳米线场效应晶体管，该方法与常规集成电路制造技术兼容，制备工艺简单、方便、周期短。
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公开(公告)号：CN102315129A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110190786.4
申请日：2011-07-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/42392 , H01L29/0676 , H01L29/66772 , H01L29/78642 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种寄生电阻较小的垂直硅纳米线场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。利用本发明制备出的垂直型硅纳米线场效应晶体管相比于传统的平面场效应晶体管，一方面由于其本身的一维几何结构导致的良好栅控能力，能够提供很好的抑制短沟道效应的能力，并减小泄漏电流和漏致势垒降低(DIBL)；另一方面，进一步缩小器件面积，提高了IC系统的集成度。
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公开(公告)号：CN102064146A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010571866.X
申请日：2010-12-03
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L23/38 , H01L23/3738 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种芯片的散热结构，属于微电子学领域。该散热结构包括在芯片的上表面通过氧化隔离形成的P型和N型超晶格层，P型超晶格和N型超晶格之间通过二氧化硅隔离，P型超晶格通过接触孔与芯片接低电位的金属层电学相连，同时P型超晶格上方形成金属层连接外接电源；N型超晶格通过接触孔与芯片接高电位电源的金属层电学相连，同时N型超晶格上方形成金属层连接外接电源，P型超晶格连接的外接电源电位要低于N型超晶格连接的外接电源。本发明利用超晶格具有低热导率和类似声子局域化行为的特点，能够对芯片散热的同时抑制周围环境热量向芯片的传递。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101930954A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010259659.0
申请日：2010-08-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/38
CPC classification number: H01L23/38 , H01L27/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于肖特基源漏SOI场效应晶体管的散热结构，属于微电子领域。该散热结构是与SOI场效应晶体管的源端或源、漏两端分别连接填充N型和P型高热电常数材料的两孔，漏端附近的N型高热电常数材料的金属引线相对于漏端接高电位，漏端附近的P型高热电常数材料的金属引线相对于漏端接低电位；源端附近的N型高热电常数材料的金属引线相对于源端接高电位，源端附近的P型材料的金属引线相对于源端接低电位。本发明利用帕尔帖效应，在热电材料与源或漏接触处吸收热量同时在热电材料与底电极金属连接处放出热量，从而将器件有源区的热量有效地传递到衬底，通过散热片散走。
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公开(公告)号：CN101915624A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010163419.0
申请日：2010-05-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种实时监测晶体管温度的热表征方法及结构，属于表征晶体管热效应的监测技术领域。该方法通过在晶体管栅上设置一材料层，材料层与晶体管栅构成P-N结，利用P-N结的IV特性测得晶体管器件的温度。本发明将单个器件与高灵敏度的温控二极管结合，因PN结位于沟道上方的多晶硅栅上，更真实地接近器件的实际温度，可实时监测器件温度，操作简单。在大规模晶体管阵列中，该结构用于解决实时监控芯片温度和热点分布等问题的同时，可对器件局部区域进行加热，据此分析器件的可靠性和电路失配等问题，除此之外，该结构面积与器件尺寸相当，可集成于芯片。
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公开(公告)号：CN102315170B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201110138735.7
申请日：2011-05-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8234 , H01L21/762 , H01L21/311 , B82B3/00
CPC classification number: H01L29/66772 , H01L29/42392 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提出一种基于湿法腐蚀制备硅纳米线场效应晶体管的方法，包括：定义有源区；淀积氧化硅薄膜作为硬掩膜；并形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构；通过刻蚀硅工艺，将硬掩膜上的图形结构转移到硅材料上；抑制底管离子注入；通过湿法腐蚀硅材料，悬空连接源漏的硅细线条；将硅细线条缩小到纳米尺寸形成硅纳米线；淀积多晶硅薄膜；通过电子束光刻形成多晶硅栅线条，跨过硅纳米线，并形成全包围纳米线的结构；通过在衬底上淀积氧化硅薄膜和接下来的刻蚀氧化硅工艺，在多晶硅栅线条两侧形成氧化硅侧墙；通过离子注入和高温退火，形成源漏结构，最终制备出纳米线场效应晶体管，该方法与常规集成电路制造技术兼容，制备工艺简单、方便、周期短。
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公开(公告)号：CN101930954B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201010259659.0
申请日：2010-08-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/38
CPC classification number: H01L23/38 , H01L27/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于肖特基源漏SOI场效应晶体管的散热结构，属于微电子领域。该散热结构是与SOI场效应晶体管的源端或源、漏两端分别连接填充N型和P型高热电常数材料的两孔，漏端附近的N型高热电常数材料的金属引线相对于漏端接高电位，漏端附近的P型高热电常数材料的金属引线相对于漏端接低电位；源端附近的N型高热电常数材料的金属引线相对于源端接高电位，源端附近的P型材料的金属引线相对于源端接低电位。本发明利用帕尔帖效应，在热电材料与源或漏接触处吸收热量同时在热电材料与底电极金属连接处放出热量，从而将器件有源区的热量有效地传递到衬底，通过散热片散走。
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公开(公告)号：CN102221566A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110079809.4
申请日：2011-03-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种利用直流源测试不同材料间边界热阻的方法，具体包括：构建一种特殊的测试结构；通过直流方法测出测试结构中样品2(Y2)和样品1(Y1)的整体热阻之差；计算材料A和材料B之间的边界热阻；改变输入直流电源的输入功率，重复上述步骤共N次，得到N个边界热阻，取这N个边界热阻的算术平均值作为材料A和材料B的边界热阻。本发明所提供的方法能够非常简便而且有效地测试出不同材料薄层之间的边界热阻，对仪器设备要求简单，且方便易操作，测试成本低廉，适用范围广泛，其测试结果对半导体器件的设计有直接的指导作用。
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