抛光浆料组合物
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114479673B

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202111255611.7

    申请日:2021-10-27

    Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物,更具体地,涉及一种抛光浆料组合物,其包括抛光粒子;氧化剂;含铁催化剂;以及稳定化剂,并且根据下式1,所述氧化剂的残留率为70%以上:[式1]氧化剂的残留率(%)=(室温7天后氧化剂的浓度(%)x100)/(抛光浆料组合物中氧化剂的初始浓度(%))。

    抛光浆料组合物
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114479673A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202111255611.7

    申请日:2021-10-27

    Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物,更具体地,涉及一种抛光浆料组合物,其包括抛光粒子;氧化剂;含铁催化剂;以及稳定化剂,并且根据下式1,所述氧化剂的残留率为70%以上:[式1]氧化剂的残留率(%)=(室温7天后氧化剂的浓度(%)x100)/(抛光浆料组合物中氧化剂的初始浓度(%))。

    抛光浆料组合物
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114644889B

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202111553199.7

    申请日:2021-12-17

    Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物。所述抛光浆料组合物包括:抛光粒子;包括疏水性氨基酸的第一抛光抑制剂;以及包括环状聚合物的第二抛光抑制剂,并且所述第一抛光抑制剂与所述第二抛光抑制剂不同。根据本发明的抛光浆料组合物作为用于抛光半导体晶片的浆料组合物,可以改善图案的突出段差及晶片的平坦度。

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