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公开(公告)号:CN114479673B
公开(公告)日:2024-03-12
申请号:CN202111255611.7
申请日:2021-10-27
Applicant: 凯斯科技股份有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物,更具体地,涉及一种抛光浆料组合物,其包括抛光粒子;氧化剂;含铁催化剂;以及稳定化剂,并且根据下式1,所述氧化剂的残留率为70%以上:[式1]氧化剂的残留率(%)=(室温7天后氧化剂的浓度(%)x100)/(抛光浆料组合物中氧化剂的初始浓度(%))。
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公开(公告)号:CN114479673A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202111255611.7
申请日:2021-10-27
Applicant: 凯斯科技股份有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物,更具体地,涉及一种抛光浆料组合物,其包括抛光粒子;氧化剂;含铁催化剂;以及稳定化剂,并且根据下式1,所述氧化剂的残留率为70%以上:[式1]氧化剂的残留率(%)=(室温7天后氧化剂的浓度(%)x100)/(抛光浆料组合物中氧化剂的初始浓度(%))。
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公开(公告)号:CN106336812B
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201610539064.8
申请日:2016-07-08
Applicant: 凯斯科技股份有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种钨抛光料浆组合物,且本发明的钨抛光料浆组合物包括水溶性高分子、抛光粉及腐蚀调节剂。
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公开(公告)号:CN109021833A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201810596550.2
申请日:2018-06-11
Applicant: 三星电子株式会社 , 凯斯科技股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/304 , H01L21/302
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/28079 , H01L21/28123 , H01L21/3212 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/3043
Abstract: 本揭露提供一种用于抛光金属层的浆料组合物及一种使用所述浆料组合物制作半导体装置的方法。用于抛光金属层的浆料组合物包括:包含金属氧化物的抛光颗粒;包含过氧化氢的氧化剂;以及包含选自由磷酸酯、亚磷酸酯、次磷酸酯、偏磷酸酯及其盐组成的群组的至少一者的第一抛光调节剂,其中以100重量%的所述用于抛光金属层的浆料组合物计,氧化剂的含量是0.01重量%到0.09重量%。本揭露的浆料组合物可提供高抛光速率。
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公开(公告)号:CN114644889B
公开(公告)日:2024-03-12
申请号:CN202111553199.7
申请日:2021-12-17
Applicant: 凯斯科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物。所述抛光浆料组合物包括:抛光粒子;包括疏水性氨基酸的第一抛光抑制剂;以及包括环状聚合物的第二抛光抑制剂,并且所述第一抛光抑制剂与所述第二抛光抑制剂不同。根据本发明的抛光浆料组合物作为用于抛光半导体晶片的浆料组合物,可以改善图案的突出段差及晶片的平坦度。
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公开(公告)号:CN110655867A
公开(公告)日:2020-01-07
申请号:CN201910540392.3
申请日:2019-06-21
Applicant: 凯斯科技股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种抛光料浆组合物,更具体地,涉及一种包括胶体二氧化硅抛光粒子;金属氧化物单分子螯合剂;氧化剂;以及pH调节剂、水溶性聚合物或两者全部的抛光料浆组合物。
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