公开(公告)号：CN117980424A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280062827.8

申请日：2022-08-08

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 黄珍淑 ,  孔铉九 ,  金伦秀

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C23F3/06 ,  C23F1/26 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及一种金属抛光用浆料组合物，其包括胶体二氧化硅；氧化剂；以及抛光催化剂、金属抛光改进剂、抛光抑制剂以及凹陷和腐蚀改进剂中的至少一种，并且具有根据公式1的胶体二氧化硅的粒度分布。

公开(公告)号：CN114644889A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111553199.7

申请日：2021-12-17

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 黄珍淑 ,  孔铉九 ,  金伦秀

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物。所述抛光浆料组合物包括：抛光粒子；包括疏水性氨基酸的第一抛光抑制剂；以及包括环状聚合物的第二抛光抑制剂，并且所述第一抛光抑制剂与所述第二抛光抑制剂不同。根据本发明的抛光浆料组合物作为用于抛光半导体晶片的浆料组合物，可以改善图案的突出段差及晶片的平坦度。

公开(公告)号：CN114644889B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202111553199.7

申请日：2021-12-17

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 黄珍淑 ,  孔铉九 ,  金伦秀

IPC: C11D7/32 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物。所述抛光浆料组合物包括：抛光粒子；包括疏水性氨基酸的第一抛光抑制剂；以及包括环状聚合物的第二抛光抑制剂，并且所述第一抛光抑制剂与所述第二抛光抑制剂不同。根据本发明的抛光浆料组合物作为用于抛光半导体晶片的浆料组合物，可以改善图案的突出段差及晶片的平坦度。