公开(公告)号：CN110551454A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910427069.5

申请日：2019-05-22

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 孔铉九 ,  金正训 ,  黄珍淑

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物，包括：铁-取代抛光粒子；pH调节剂；以及螯合剂；氧化剂或两者兼有。

公开(公告)号：CN114479673B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202111255611.7

申请日：2021-10-27

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 黄珍淑 ,  孔铉九 ,  李恩珍

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物，更具体地，涉及一种抛光浆料组合物，其包括抛光粒子；氧化剂；含铁催化剂；以及稳定化剂，并且根据下式1，所述氧化剂的残留率为70％以上：[式1]氧化剂的残留率(％)＝(室温7天后氧化剂的浓度(％)x100)/(抛光浆料组合物中氧化剂的初始浓度(％))。

公开(公告)号：CN114479673A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111255611.7

申请日：2021-10-27

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 黄珍淑 ,  孔铉九 ,  李恩珍

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物，更具体地，涉及一种抛光浆料组合物，其包括抛光粒子；氧化剂；含铁催化剂；以及稳定化剂，并且根据下式1，所述氧化剂的残留率为70％以上：[式1]氧化剂的残留率(％)＝(室温7天后氧化剂的浓度(％)x100)/(抛光浆料组合物中氧化剂的初始浓度(％))。

公开(公告)号：CN106336812B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201610539064.8

申请日：2016-07-08

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 黄珍淑 ,  孔铉九 ,  朴韩泰

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种钨抛光料浆组合物，且本发明的钨抛光料浆组合物包括水溶性高分子、抛光粉及腐蚀调节剂。

公开(公告)号：CN119955417A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202411568896.3

申请日：2024-11-05

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 黄珍淑 ,  林世镇

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321 ,  C23F3/06

Abstract: 本发明涉及包括抛光调节剂的金属膜抛光用浆料组合物和基板的化学机械抛光方法。本发明涉及一种包括抛光调节剂的金属膜抛光用浆料组合物，所述抛光调节剂包括烯丙胺类结构单元(A)的聚合物和包含选自由硫(S)、磷(P)和氮(N)组成的群组的至少一种元素的结构单元(Y)的聚合物的共聚物，还涉及利用该金属膜抛光用浆料组合物的化学机械抛光方法。

公开(公告)号：CN114644889A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111553199.7

申请日：2021-12-17

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 黄珍淑 ,  孔铉九 ,  金伦秀

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物。所述抛光浆料组合物包括：抛光粒子；包括疏水性氨基酸的第一抛光抑制剂；以及包括环状聚合物的第二抛光抑制剂，并且所述第一抛光抑制剂与所述第二抛光抑制剂不同。根据本发明的抛光浆料组合物作为用于抛光半导体晶片的浆料组合物，可以改善图案的突出段差及晶片的平坦度。

公开(公告)号：CN106366934A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610575493.0

申请日：2016-07-19

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 崔东圭 ,  尹永镐 ,  孔铉九 ,  黄珍淑 ,  朴韩泰

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  C23F3/06 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及抛光料浆组合物，且本发明的抛光料浆组合物，其包括：抛光粒子，第一抛光粒子、第二抛光粒子、第三抛光粒子中至少两个以上；及氧化剂，且随着所述抛光粒子和含有钨膜的接触面积(contact area)的增加，峰谷(peak to valley，Rpv)值减少。

公开(公告)号：CN114644889B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202111553199.7

申请日：2021-12-17

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 黄珍淑 ,  孔铉九 ,  金伦秀

IPC: C11D7/32 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物。所述抛光浆料组合物包括：抛光粒子；包括疏水性氨基酸的第一抛光抑制剂；以及包括环状聚合物的第二抛光抑制剂，并且所述第一抛光抑制剂与所述第二抛光抑制剂不同。根据本发明的抛光浆料组合物作为用于抛光半导体晶片的浆料组合物，可以改善图案的突出段差及晶片的平坦度。

公开(公告)号：CN110551454B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN201910427069.5

申请日：2019-05-22

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 孔铉九 ,  金正训 ,  黄珍淑

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物，包括：铁‑取代抛光粒子；pH调节剂；以及螯合剂；氧化剂或两者兼有。

公开(公告)号：CN110655867A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910540392.3

申请日：2019-06-21

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 孔铉九 ,  黄珍淑 ,  李相美 ,  黄寅卨 ,  辛娜喇

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及一种抛光料浆组合物，更具体地，涉及一种包括胶体二氧化硅抛光粒子；金属氧化物单分子螯合剂；氧化剂；以及pH调节剂、水溶性聚合物或两者全部的抛光料浆组合物。