公开(公告)号：CN112210301A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010660584.0

申请日：2020-07-10

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 金智慧 ,  崔辅爀 ,  李在祐 ,  李在益

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明涉及一种用于抛光多层膜的化学机械抛光浆料组合物，根据本发明的一实施例的用于抛光多层膜的化学机械抛光浆料组合物包括：抛光粒子；表面粗糙度(roughness)改进剂，包括水溶性聚合物；抛光调节剂，包括有机酸；以及抛光轮廓改进剂，包括非离子表面活性剂。

公开(公告)号：CN114867802B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202080088088.0

申请日：2020-10-30

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 崔辅爀 ,  李载鹤 ,  李在祐 ,  金智慧 ,  李在益

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明涉及一种用于抛光有机膜的浆料组合物，根据本发明一实施例的用于抛光有机膜的浆料组合物包括：研磨粒子；包括有机酸、无机酸或两者的抛光调节剂；包括酰胺类化合物或酰胺类聚合物的有机膜抛光增强剂；氧化剂；以及pH调节剂。

公开(公告)号：CN113260687B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN201980084742.8

申请日：2019-11-18

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 李在祐 ,  金智慧 ,  崔辅爀

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/3105

公开(公告)号：CN114867802A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202080088088.0

申请日：2020-10-30

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 崔辅爀 ,  李载鹤 ,  李在祐 ,  金智慧 ,  李在益

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明涉及一种用于抛光有机膜的浆料组合物，根据本发明一实施例的用于抛光有机膜的浆料组合物包括：研磨粒子；包括有机酸、无机酸或两者的抛光调节剂；包括酰胺类化合物或酰胺类聚合物的有机膜抛光增强剂；氧化剂；以及pH调节剂。

公开(公告)号：CN118339245A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280078021.8

申请日：2022-12-01

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 崔辅爀 ,  孔铉九 ,  金智慧

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明涉及抛光浆料组合物，更具体地，涉及用于对多晶硅进行抛光的抛光浆料组合物，其包括胶体二氧化硅抛光粒子；季铵阳离子单体；以及酸性物质。

公开(公告)号：CN113260687A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201980084742.8

申请日：2019-11-18

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 李在祐 ,  金智慧 ,  崔辅爀

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明涉及一种用于抛光多晶硅的CMP浆料组合物及利用其的抛光方法。根据本发明的实施方式的用于抛光多晶硅的CMP浆料组合物包括抛光粒子；表面粗糙度改进剂；包含有机酸的抛光调节剂；以及pH调节剂。

公开(公告)号：CN105980509A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580008046.0

申请日：2015-01-23

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 权璋国 ,  全燦云 ,  郑记和 ,  金廷润 ,  崔洛炫 ,  李性表 ,  崔辅爀

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明关于一种制备研磨液组合物的方法及一种通过该方法制备的研磨液组合物，该方法及该研磨液组合物可减少刮痕及剩余颗粒且维持高抛光速率，该刮痕及剩余颗粒在应用于半导体化学机械抛光(CMP)中被公认为因块状颗粒及聚结颗粒所致的良率降低的一个主要因素。此外，该方法及该研磨液组合物可应用于超大规模整合的半导体程序所需的各种图案且在针对应用的抛光速率、抛光选择比率、表示抛光均匀性的晶圆内非均匀性(WIWNU)及微痕小型化方面达成优良结果。