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公开(公告)号:CN109021833A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201810596550.2
申请日:2018-06-11
Applicant: 三星电子株式会社 , 凯斯科技股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/304 , H01L21/302
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/28079 , H01L21/28123 , H01L21/3212 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/3043
Abstract: 本揭露提供一种用于抛光金属层的浆料组合物及一种使用所述浆料组合物制作半导体装置的方法。用于抛光金属层的浆料组合物包括:包含金属氧化物的抛光颗粒;包含过氧化氢的氧化剂;以及包含选自由磷酸酯、亚磷酸酯、次磷酸酯、偏磷酸酯及其盐组成的群组的至少一者的第一抛光调节剂,其中以100重量%的所述用于抛光金属层的浆料组合物计,氧化剂的含量是0.01重量%到0.09重量%。本揭露的浆料组合物可提供高抛光速率。
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公开(公告)号:CN109135579A
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201810615141.2
申请日:2018-06-14
Applicant: 三星电子株式会社 , 凯斯科技股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/31051
Abstract: 提供一种化学机械抛光(CMP)浆料组合物及一种使用化学机械抛光浆料组合物制作半导体器件的方法。化学机械抛光(CMP)浆料组合物包含:磨料颗粒;第一阳离子化合物,包含氨基酸、聚亚烷基二醇、与葡糖胺化合物键结的聚合物多糖及含有胺基的聚合物中的至少任一者;第二阳离子化合物,包含有机酸;以及非离子化合物,包含聚醚胺。本发明的化学机械抛光浆料组合物具有相对高的氧化物膜对半导体膜抛光选择性且能够改善凹陷及刮擦。
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公开(公告)号:CN111300258B
公开(公告)日:2024-08-13
申请号:CN201910948775.4
申请日:2019-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种化学机械抛光(CMP)装置包括:抛光台板上的抛光垫;抛光垫上的抛光头,该抛光头具有用于将晶片保持在抛光垫上的隔膜、以及用于馈送抛光浆料的抛光浆料馈送线;以及保持环,围绕隔膜并与抛光垫接触以防止晶片脱离,该保持环包括连接到抛光浆料馈送线的抛光浆料馈送入口,以将抛光浆料馈送到抛光垫上。
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公开(公告)号:CN111300258A
公开(公告)日:2020-06-19
申请号:CN201910948775.4
申请日:2019-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种化学机械抛光(CMP)装置包括:抛光台板上的抛光垫;抛光垫上的抛光头,该抛光头具有用于将晶片保持在抛光垫上的隔膜、以及用于馈送抛光浆料的抛光浆料馈送线;以及保持环,围绕隔膜并与抛光垫接触以防止晶片脱离,该保持环包括连接到抛光浆料馈送线的抛光浆料馈送入口,以将抛光浆料馈送到抛光垫上。
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