公开(公告)号：CN1210886A

公开(公告)日：1999-03-17

申请号：CN98116270.3

申请日：1998-08-10

Applicant: 关东化学株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 石川典夫 ,  森清人 ,  青木秀充

IPC: C11D9/30

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3245 ,  C11D11/0047 ,  H05K3/26

Abstract: 提供一种不腐蚀金属、可以容易地去除基板表面的金属杂质的洗涤液,即在环境负荷、保存性等方面没有问题的、布设了金属配线后的基板洗涤用的洗涤液。布设了金属配线后的基板洗涤用洗涤液,其特征在于含有草酸、草酸铵、多氨基羧酸类中至少一种。

公开(公告)号：CN1311351A

公开(公告)日：2001-09-05

申请号：CN01104252.4

申请日：2001-02-23

Applicant: 日本电气株式会社 ,  关东化学株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  渡边香织 ,  石川典夫 ,  森清人

IPC: C23F1/30

Abstract: 本发明提供一种去除剂,该去除剂包括(a)硝酸铈(Ⅳ)盐和(b)选自硝酸、高氯酸和乙酸构成的组中的至少一种酸。

公开(公告)号：CN1237205C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN00136258.5

申请日：2000-12-18

Applicant: 日本电气株式会社 ,  关东化学株式会社

Inventor： 长谷卓 ,  宫坂洋一 ,  新内聡畅 ,  森冈洋 ,  山手拓 ,  桂木速人 ,  森清人

IPC: C23C18/12 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C18/1216

Abstract: 提供能够形成无涂布不匀(条痕)的均匀薄膜的铁电体薄膜形成用溶液及铁电体薄膜形成方法。还提供以含有选自改性硅油或者氟型表面活性剂中的至少一种为特征的铁电体薄膜形成用溶液及使用该溶液的铁电体薄膜形成方法。

公开(公告)号：CN1303954A

公开(公告)日：2001-07-18

申请号：CN00136258.5

申请日：2000-12-18

Applicant: 日本电气株式会社 ,  关东化学株式会社

Inventor： 长谷卓 ,  宫坂洋一 ,  新内聬畅 ,  森冈洋 ,  山手拓 ,  桂木速人 ,  森清人

IPC: C23C18/12 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C18/1216

Abstract: 提供能够形成无涂布不匀(条痕)的均匀薄膜的强电介质薄膜形成用溶液及强电介质薄膜形成方法。还提供以含有选自改性硅油或者氟型表面活性剂中的至少一种为特征的强电介质薄膜形成用溶液及使用该溶液的强电介质薄膜形成方法。

公开(公告)号：CN1253527C

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN01142051.0

申请日：2001-09-07

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 石川典夫 ,  森清人

IPC: C09K13/04

CPC classification number: H01L31/1884 ,  C09K13/00 ,  H01L21/32134 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种蚀刻液组合物，该组合物含有透明导电膜用蚀刻液，以及从聚磺酸化合物和聚氧化乙烯-聚氧化丙烯嵌段共聚物构成的物质组中选取的一种或两种以上的化合物。该蚀刻液对发泡性具有抑制作用，而且蚀刻后不产生残渣。

公开(公告)号：CN1225529C

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN00106046.5

申请日：2000-04-20

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 石川典夫 ,  阿部优美子 ,  森清人

IPC: C11D1/00 ,  C11D3/20 ,  H01L21/461

CPC classification number: H05K3/26 ,  C11D3/2075 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063 ,  H05K2201/0761 ,  H05K2203/122

Abstract: 本发明提供不腐蚀金属、能够高效率地同时去除基板表面的金属杂质和颗粒的洗净液。该洗净电子材料用基板的洗净液含有分散剂和表面活性剂中的至少一种及有机酸化合物，且该洗净液不含有碱；所述有机酸化合物是从草酸、丙二酸、苹果酸、酒石酸、柠檬酸及它们的铵盐组成的组中选择的1种或2种以上，且所述有机酸化合物的量是所述洗净液的总量的0.01～30重量%；所述表面活性剂是阴离子型或者非离子型表面活性剂；所述分散剂是磷酸酯，且所述分散剂和表面活性剂的量是所述洗净液的总量的0.0001～10重量%。

公开(公告)号：CN1271000A

公开(公告)日：2000-10-25

申请号：CN00106046.5

申请日：2000-04-20

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 石川典夫 ,  阿部优美子 ,  森清人

IPC: C11D1/00 ,  C11D3/20 ,  H01L21/461

CPC classification number: H05K3/26 ,  C11D3/2075 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063 ,  H05K2201/0761 ,  H05K2203/122

Abstract: 本发明提供不腐蚀金属、能够高效率地同时去除基板表面的金属杂质和颗粒的洗净液。作为洗净电子材料用基板的洗净液,它含有分散剂和表面活性剂中的至少任一种及有机酸化合物。

公开(公告)号：CN1203163C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN98116270.3

申请日：1998-08-10

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 石川典夫 ,  森清人 ,  青木秀充

IPC: C11D9/30

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3245 ,  C11D11/0047 ,  H05K3/26

Abstract: 提供一种不腐蚀金属、可以容易地去除基板表面的金属杂质的洗涤液，即在环境负荷、保存性等方面没有问题的、布设了金属配线后的基板洗涤用的洗涤液。布设了金属配线后的基板洗涤用洗涤液，其特征在于含有草酸、草酸铵、多氨基羧酸类中至少一种。

公开(公告)号：CN1434492A

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN02154501.4

申请日：2002-12-04

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  关东化学株式会社

Inventor： 渡边薰 ,  石川典夫 ,  青木秀充 ,  森清人

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6708 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明涉及一种通过化学溶液溶解和除去粘附于半导体衬底的钌基金属的化学溶液处理装置，其具有化学溶液处理单元，和具有排气管道的储存单元，所述的储存单元用于储存化学溶液，以便使源自所述的化学溶液处理中溶解和去除的钌基金属的气体成分挥发而脱离化学溶液，其中，与衬底接触之后的化学溶液在化学溶液处理单元中的停留时间比化学溶液在储存单元中的停留时间短。

公开(公告)号：CN1346864A

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN01142051.0

申请日：2001-09-07

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 石川典夫 ,  森清人

IPC: C09K13/04

CPC classification number: H01L31/1884 ,  C09K13/00 ,  H01L21/32134 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种蚀刻液组合物,该组合物含有透明导电膜用蚀刻液,以及从聚磺酸化合物和聚氧化乙烯－聚氧化丙烯嵌段共聚物构成的物质组中选取的一种或两种以上的化合物。该蚀刻液对发泡性具有抑制作用,而且蚀刻后不产生残渣。