公开(公告)号：CN103146509A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210517904.2

申请日：2012-12-05

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 谷口优美子 ,  守田菊恵 ,  堀家千代子 ,  大和田拓央

IPC: C11D7/32 ,  C11D7/36 ,  C11D10/02

CPC classification number: C11D7/3209 ,  C11D3/30 ,  C11D3/361 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/18 ,  C23G1/20 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02068

Abstract: 本发明提供一种在半导体元件等电子设备的制造工艺中对金属杂质和微粒的除去性能优异且不腐蚀Cu，对含有铜配线的半导体基板进行清洁的清洁液组合物。所述清洁液组合物为对含有铜配线的半导体基板进行清洁的清洁液组合物，包括一种或两种以上的不含金属的碱性化合物以及一种或两种以上膦酸类螯合剂，且氢离子浓度(pH)为8～10。本发明还提供上述清洁液组合物的浓缩液，以及使用该清洁液组合物的清洁方法。

公开(公告)号：CN105122429B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201480021935.6

申请日：2014-04-07

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 守田菊惠 ,  堀家千代子 ,  深谷启介 ,  大和田拓央

IPC: H01L21/304 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D7/32 ,  C11D7/36 ,  C11D17/08

Abstract: 本发明的目的是提供半导体元件等电子器件的制造工序中，对实施了化学机械研磨(CMP)处理等的基板等的清洗有用的清洗液组合物。本发明涉及用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的碱性化合物以及1种或2种以上的含氮原子的杂环式单环芳香族化合物，氢离子浓度(pH)为8～11。

公开(公告)号：CN105122429A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201480021935.6

申请日：2014-04-07

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 守田菊惠 ,  堀家千代子 ,  深谷启介 ,  大和田拓央

IPC: H01L21/304 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D7/32 ,  C11D7/36 ,  C11D17/08

Abstract: 本发明的目的是提供半导体元件等电子器件的制造工序中，对实施了化学机械研磨(CMP)处理等的基板等的清洗有用的清洗液组合物。本发明涉及用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的碱性化合物以及1种或2种以上的含氮原子的杂环式单环芳香族化合物，氢离子浓度(pH)为8～11。