一种高致密复合型原子氧防护薄膜

    公开(公告)号:CN115537728B

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202211234011.7

    申请日:2022-10-10

    Abstract: 本发明公开了一种高致密复合型原子氧防护薄膜。首先在有机物基底表面设计一层厚度为1~100nm的致密无微观缺陷的SiOx薄膜,作为硅氧烷涂层生长的“种子层”;随后在SiOx种子层上设计厚度为200~600nm的硅氧烷涂层。最后在硅氧烷表面上设计一层厚度为5~200nm的SiOx薄膜,作为帽子层。本发明的优点在于:SiOx种子层可以有效降低硅氧烷涂层中的微观缺陷,防止形成原子氧剥蚀通道。SiOx帽子层可以有效遮盖硅氧烷表面孔洞、裂纹等缺陷,同时增强原子氧防护性能。为低轨道、超低轨道卫星长期在轨运行提供原子氧防护方法,保证长寿命、低轨道卫星在轨性能和使用寿命。

    一种真空磁控溅射卷绕镀制低残余应力厚铜膜的方法

    公开(公告)号:CN112011779A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN201910465143.2

    申请日:2019-05-30

    Abstract: 本发明涉及一种真空磁控溅射卷绕镀制低残余应力厚铜膜的方法,属于铜膜制备技术领域。本发明所述方法一方面通过优化溅射气压,使铜膜中的压应力和张应力接近并相互抵消;另一方面在镀膜辊轴中通入冷却液使柔性基底温度在溅射过程中保持在室温左右,抑制热应力的产生,从而使所制备的2μm以上厚铜膜具有较低的残余应力,能够提高柔性基底厚铜膜材料的后加工精度和可靠性,为柔性基底厚铜膜材料在薄膜航天器、大型空间电池阵、柔性展开天线、柔性电缆等领域的应用奠定良好的基础,拓展柔性基底厚铜膜材料在航天领域的应用。

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