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公开(公告)号：CN110438460A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910461837.9
申请日：2019-05-30
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种太阳吸收率和红外发射率可调控的热控薄膜结构及其确定方法，属于热控薄膜技术领域。由沉积在基底上的金属层、两层以上的Al2O3层和两层以上的SiO2层组成，其中，Al2O3层和SiO2层的层数相同且按照Al2O3层在下SiO2层在上的顺序依次交替沉积；金属层沉积在基底上，第一层Al2O3层沉积在金属层上，每一次Al2O3层和每一次SiO2层的厚度均在50nm以上。通过叠层设计，在减小薄膜总体厚度的同时实现了热控参数在较大范围内的调控，满足航天器热控薄膜的通用要求，并具备良好的空间环境稳定性要求。
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公开(公告)号：CN104530992A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410784152.5
申请日：2014-12-16
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
IPC: C09J5/06
Abstract: 本发明公开了一种聚酰亚胺薄膜高强度拼接方法，步骤一、将聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位固定在薄膜拼接装置的铝合金底座上；步骤二、将聚氨酯热熔胶粉末均匀涂覆于聚酰亚胺薄膜a的待拼接部位表面；步骤三、将聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位覆盖在聚氨酯热熔胶粉末上，并固定在铝合金底座上；步骤四、打开电源，将铝合金底座加热至300℃，保持2分钟；步骤五、将薄膜拼接装置的压模压在聚酰亚胺薄膜b的待拼接部位，保持2分钟；步骤六、关闭电源，自然冷却，完成聚酰亚胺薄膜的高强度拼接；本发明可适用于聚酰亚胺薄膜材料的高强度拼接；可根据具体薄膜拼接要求采用拼接装置，操作简单、拼接强度高、可实现不同型面薄膜的拼接制备。
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公开(公告)号：CN104600153A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410766588.1
申请日：2014-12-11
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1876 , H01L31/00 , H01L31/0328
Abstract: 本发明公开了一种CIGS太阳电池吸收层制备方法。使用本发明能够在较低温度下一步生成平整、致密、均匀、光电性能良好的CIGS太阳电池光吸收层薄膜，能显著降低CIGS太阳电池光吸收层薄膜的制备温度，简化工艺。本发明利用Se离子高的化学活性以及离子的动能对表面吸附、解离以及扩散作用的增强而降低反应沉积温度，在基底上采用磁控溅射CuGa合金靶和In靶、或CuGa合金靶和CuIn合金靶、或CuInGa合金靶的同时，采用硒离子束进行硒化反应，生成CIGS太阳电池吸收层，实现低温一步沉积。
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公开(公告)号：CN119194360A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411331581.7
申请日：2024-09-24
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及航天器的热控技术领域，具体而言，提供一种航天器热辐射器的红外抑制热控涂层及其制备方法。在刚性或柔性基材表面依次沉积厚度为100nm～400nm的银反射层、50～200nm的氧化铝氧化抑制层、100～400nm的氧化硅发射率调控层和40～80nm氧化铟锡(ITO)层。本发明减少对红外波段能量的吸收，有效抑制环境红外热辐射对热控的影响，降低自身热辐射对红外光学探测的不利影响，不仅具有优异的红外抑制能力，还具有防静电功能，在湿热、热循环、紫外辐照、粒子辐照等环境作用下，呈现良好的耐空间环境稳定性，可广泛应用于空间飞行器的辐射散热过程中的红外抑制。
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公开(公告)号：CN112011779A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910465143.2
申请日：2019-05-30
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种真空磁控溅射卷绕镀制低残余应力厚铜膜的方法，属于铜膜制备技术领域。本发明所述方法一方面通过优化溅射气压，使铜膜中的压应力和张应力接近并相互抵消；另一方面在镀膜辊轴中通入冷却液使柔性基底温度在溅射过程中保持在室温左右，抑制热应力的产生，从而使所制备的2μm以上厚铜膜具有较低的残余应力，能够提高柔性基底厚铜膜材料的后加工精度和可靠性，为柔性基底厚铜膜材料在薄膜航天器、大型空间电池阵、柔性展开天线、柔性电缆等领域的应用奠定良好的基础，拓展柔性基底厚铜膜材料在航天领域的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104538492A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410763697.8
申请日：2014-12-11
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0328
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0322 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层薄膜的制备方法。使用本发明能够降低沉积温度、简化工艺。本发明首先将基底加热至250℃～350℃并保温，然后采用磁控溅射或多元共蒸发法制备CIGS光吸收层薄膜，同时对基底照射光子能量范围为1.2eV～6.2eV的光束，最终生成铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层薄膜。本发明实现了CIGS薄膜的一步低温沉积，简化工艺，适合工业化生产，特别适合用于卷绕制备柔性CIGS薄膜太阳电池。
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公开(公告)号：CN112011779B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201910465143.2
申请日：2019-05-30
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种真空磁控溅射卷绕镀制低残余应力厚铜膜的方法，属于铜膜制备技术领域。本发明所述方法一方面通过优化溅射气压，使铜膜中的压应力和张应力接近并相互抵消；另一方面在镀膜辊轴中通入冷却液使柔性基底温度在溅射过程中保持在室温左右，抑制热应力的产生，从而使所制备的2μm以上厚铜膜具有较低的残余应力，能够提高柔性基底厚铜膜材料的后加工精度和可靠性，为柔性基底厚铜膜材料在薄膜航天器、大型空间电池阵、柔性展开天线、柔性电缆等领域的应用奠定良好的基础，拓展柔性基底厚铜膜材料在航天领域的应用。
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公开(公告)号：CN110527962B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910461825.6
申请日：2019-05-30
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种低应力耐湿热复合热控薄膜及其制备方法，属于热控薄膜技术领域。所述薄膜包括依次沉积在基底上的反射率层、过渡层、发射率层和导电层；通过在高反射率层和SiO2发射率层之间增加Al2O3过渡层，既可以提高反射率层和主发射率层之间的附着力，又可以调控薄膜的热控参数。通过控制主发射率层的致密度和微观结构，使SiO2内层处于较为疏松的状态，外层致密度较高，使薄膜应力总体处于较低的状况，而外层的高致密度SiO2实现了水汽的有效阻隔，提高整个膜系的耐湿热能力。所述热控薄膜满足大于4N/cm的膜层附着力要求，同时满足24h时长95％湿度的试验要求。
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公开(公告)号：CN110527962A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910461825.6
申请日：2019-05-30
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种低应力耐湿热复合热控薄膜及其制备方法，属于热控薄膜技术领域。所述薄膜包括依次沉积在基底上的反射率层、过渡层、发射率层和导电层；通过在高反射率层和SiO2发射率层之间增加Al2O3过渡层，既可以提高反射率层和主发射率层之间的附着力，又可以调控薄膜的热控参数。通过控制主发射率层的致密度和微观结构，使SiO2内层处于较为疏松的状态，外层致密度较高，使薄膜应力总体处于较低的状况，而外层的高致密度SiO2实现了水汽的有效阻隔，提高整个膜系的耐湿热能力。所述热控薄膜满足大于4N/cm的膜层附着力要求，同时满足24h时长95％湿度的试验要求。
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公开(公告)号：CN104561900A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410782697.2
申请日：2014-12-16
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
CPC classification number: C23C14/10 , C23C14/0052
Abstract: 本发明公开了一种低吸收率氧化硅薄膜的制备方法，该方法的具体步骤为：步骤一、在真空腔内设置硅靶和离子源，将基底放在真空腔内，打开真空泵组，使真空腔本底真空度高于2.0×10-3Pa；步骤二、用氩离子束对基底进行清洁活化；步骤三、采用氧离子束辅助脉冲反应磁控溅射技术沉积氧化硅薄膜；本发明通过氧离子束辅助脉冲反应磁控溅射技术，利用氧离子高的化学活性以及离子的动能来增强氧化硅薄膜对铝合金基底表面吸附、解离以及扩散效果，从而提高氧化硅薄膜致密度和氧化硅薄膜的沉积速率，进而制得了高质量低吸收率氧化硅薄膜。
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