一种空间原子氧密度在轨连续检测系统

    公开(公告)号:CN117110132A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202310953188.0

    申请日:2023-07-31

    Abstract: 本发明提供一种空间原子氧密度在轨连续检测系统,涉及空间环境探测技术领域。该空间原子氧密度在轨连续检测系统包括微型原子氧密度传感器、原子氧监测电路、控温及测温电路和紫外光源,微型原子氧密度传感器包括基底、支撑层、下绝缘层、上绝缘层、加热及测温电阻薄膜、加热及测温引线窗口、传感电极和纳米氧化锌薄膜。本发明利用纳米结构增强ZnO半导体薄膜原子氧传感灵敏度、高集成度微型传感MEMS器件设计降低系统尺寸及功耗等有益方案的结合,可实现空间原子氧密度的在轨连续监测,具有高灵敏度、高寿命、快速响应、小尺寸、低功耗等优点。该空间原子氧密度在轨连续检测系统可用于地面模拟设备原子氧密度和空间环境中的原子氧密度探测。

    一种复合材料热防护用高温抗氧化涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN115536440B

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202211199886.8

    申请日:2022-09-29

    Abstract: 本发明公开了一种复合材料热防护用高温抗氧化涂层的制备方法,通过设计涂层制备方法,使SiC/C复合材料喷管高温抗氧化涂层耐受1800℃的工作温度和剧烈热震。采用如下步骤:将SiC/C复合材料喷管内壁表面用飞秒激光采用一定的能量密度和脉冲频率进行扫描,在内壁表面形成微纳复合的微结构,利用微纳结构实现与后期制备的防护用高温抗氧化涂层之间形成镶嵌结构。采用等离子体增强CVD技术,完成碳化硅和硼化铪组成的过渡层生长。采用Ir(acac)3、还原气体H2、Ar进行金属铱膜层制备。采用等离子体增强CVD技术,完成碳化硅和硼化铪组成的过渡层生长。重复10‑50次,完成周期性叠层结构的生长。采用等离子体增强CVD技术,完成碳化硅和硼化铪组成的耐烧蚀层生长。

    一种表征石墨烯结晶状态的简单方法

    公开(公告)号:CN105987990A

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201510099583.2

    申请日:2015-03-06

    Abstract: 本发明公开了一种石墨烯结晶状态的表征方法,用气体刻蚀法对石墨烯生长样品进行刻蚀,石墨烯产生多个六边形刻蚀区,分析六边形刻蚀区边角对应取向,若六边形刻蚀区边角对应取向一致则生长样品为单晶,若六边形刻蚀区边角对应取向不一致则生长样品为多晶。本发明不需要大型高精密的表征设备,成本低,一般石墨烯生长的真空加热炉即可满足要求,采用氢气气氛高温下刻蚀石墨烯即可判断石墨烯的结晶状态,因此可以做到生长完后直接原位刻蚀表征石墨烯的结晶性能,方法非常简便易行。不需要制备专用表征样品,避免了采用处理后的专用样品在表征过程中产生的误差。

    一种大尺寸单晶石墨烯的制备方法

    公开(公告)号:CN105986315A

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201510101567.2

    申请日:2015-03-06

    Abstract: 本发明涉及石墨烯材料及其化学气相沉积(CVD) 制备技术,具体为一种大尺寸单晶石墨烯的制备方法,该方法采用化学气相沉积技术,以一定氧含量的铜箔作为生长基底,并将铜箔制作成空腔结构,在非反应性气体的保护下,先对铜空腔结构进行热处理,以碳氢化合物为碳源,并利用碳源气体在高温下催化裂解生长大尺寸单晶石墨烯。本发明工艺流程简单,操作容易,成本低,产物质量高、尺寸大且均匀、重复性好等优点。

    一种组分梯度分布的防原子氧薄膜

    公开(公告)号:CN116948445A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310917000.7

    申请日:2023-07-25

    Abstract: 本发明提供一种组分梯度分布的防原子氧薄膜,涉及航天器空间环境效应防护领域。该防原子氧薄膜的化学组分为SiOxCyHz,其中,薄膜表面的化学组分为SiO2,在由薄膜表面向其内部延伸的方向上,x从2减小到0.5,y从0增大到2,z从0增大到8。制备方法:通过等离子体增强化学气相沉积技术在基底上制备有机硅氧烷薄膜;采用紫外光辐照所述有机硅氧烷薄膜,使得该薄膜化学组分呈梯度分布,获得组分梯度分布的防原子氧薄膜。该防原子氧薄膜具有一定柔韧性,与基底材料结合力强,可应用于低地球轨道中飞行的航天器表面,并且该薄膜的防原子氧性能优异,生产效率高且光学透明度高,能够满足航天领域对超高原子氧累积通量的防护要求。

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