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公开(公告)号：CN105132886B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201510576553.6
申请日：2015-09-11
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明公开了一种改善管状基底内表面沉积薄膜均匀性的方法，（1）将管状基底放置于反应室内，将侧壁上均匀分布有若干通孔的进气管置于所述管状基底内；（2）对管状基底进行加热；（3）通过所述进气管向反应室内通入反应前驱体进行镀膜。本发明一种改善管状基底内表面沉积薄膜均匀性的方法，能够显著改善管状基底内表面沉积薄膜的均匀性。
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公开(公告)号：CN106524834A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611178421.9
申请日：2016-12-19
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
IPC: F41H3/00
CPC classification number: F41H3/00
Abstract: 本发明公开了一种移动目标红外隐身陷光结构，在移动目标表面，设置有陷光微结构层，所述陷光微结构层横断面为多个等腰三角形，所述等腰三角形的底边长度和等腰三角形的高度均为微米量级，本发明所公开的移动目标红外隐身陷光结构利用光和微结构的电磁耦合特性，在弹体表面制造断面为等腰三角形的微结构，实现红外陷光，降低移动目标的反射率和发射率，从而降低移动目标被侦测的可能。
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公开(公告)号：CN104561920A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410834542.9
申请日：2014-12-26
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
IPC: C23C14/50
CPC classification number: C23C14/505
Abstract: 本发明公开了一种滚珠表面镀膜的装置。本发明采用将上转盘通过限位孔与固定架固定，而下转盘与旋转轴相连的方式，即下转盘转动，上转盘固定不动，使得滚珠的各表面与旋转轴的旋转中心的距离不一样，进而导致滚珠的自转，使得直线传播的膜料均匀沉积在滚珠表面，使得滚珠表面的膜层更加均匀。
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公开(公告)号：CN111146967B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201911353705.0
申请日：2019-12-25
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种沿面击穿放电触发式脉冲引弧电源，并设计了触发式脉冲引弧电源包括整流电路、电容充放电电路和触发控制电路三部分；当电弧主电源的输出电压高于空载输出电压的75％，或输出电流低于30A时，触发控制电路判定阴极电弧源处于熄弧状态，并触发脉冲信号，整流电路同步将交流电220V转换成直流电360V，并开始对电容充电，当充电电压达到360V，光晶闸管VS1自行关断，光晶闸管VS1可靠关断2ms后，触发控制电路给光晶闸管VS2发出一个导通触发脉冲信号，电容的电压通过光晶闸管VS2施加到阴极电弧源的陶瓷触发极上，为陶瓷表面的沿面击穿提供脉冲放电电压。
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公开(公告)号：CN112795874B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202011468247.8
申请日：2020-12-14
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明公开一种沿面击穿触发式引弧结构，包括阴极靶、屏蔽盘、触发极陶瓷、导电片、引弧电极触头、内法兰套、外法兰套、密封圈、接线柱及触发式脉冲电源；阴极靶旁边的真空腔室壁上开一个法兰口，接线柱穿过内外法兰套和密封圈，形成端面压紧密封结构，接线柱细端连接引弧电极触头，接线柱粗端和屏蔽盘固定端通过一个导电片搭桥连接，触发极陶瓷表面涂覆石墨涂层，三个触发极陶瓷均布通过定位销安装在屏蔽盘上，触发极陶瓷一端台阶面要搭载在阴极靶外沿上有效接触，触发式脉冲电源的正极与引弧电极触头连接，负极与阴极电杆连接；本发明引弧结构简单，便于实现和产品小型化，经济成本低，同时提高触发放电的可靠性和引弧稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112760608A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011464917.9
申请日：2020-12-14
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碳纤维复合材料表面薄膜沉积过程防止层间放气的方法，镀膜过程采用间歇性控制策略，间歇性的检验依据是气压检测，和初始工作气压相比，镀膜过程中真空室内气压升高设定比例为镀膜暂停判据，暂停镀膜至温度降低，然后重新启动镀膜，直至完成整个镀膜过程；本发明能够有效的防止镀膜过程中的升温，而导致的复合材料出气污染介质膜层，保持膜层的性能。
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公开(公告)号：CN105132886A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510576553.6
申请日：2015-09-11
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明公开了一种改善管状基底内表面沉积薄膜均匀性的方法，（1）将管状基底放置于反应室内，将侧壁上均匀分布有若干通孔的进气管置于所述管状基底内；（2）对管状基底进行加热；（3）通过所述进气管向反应室内通入反应前驱体进行镀膜。本发明一种改善管状基底内表面沉积薄膜均匀性的方法，能够显著改善管状基底内表面沉积薄膜的均匀性。
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公开(公告)号：CN112736477A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011464916.4
申请日：2020-12-14
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种天线反射器双面金属薄膜图形整体精确定位方法，通过在反射器裙边位置制备正反双面一体化靶标，从而避免或减小由于反射器正反两面靶标自身精度误差带来的影响；并将CCD可视放大辅助定位技术应用于天线反射器激光刻蚀，从而大幅度提高天线反射器双面定位精度，以便于后续的激光刻蚀加工过程中确保正反双层金属薄膜图形整体相对位置精度。
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公开(公告)号：CN111146967A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911353705.0
申请日：2019-12-25
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种沿面击穿放电触发式脉冲引弧电源，并设计了触发式脉冲引弧电源包括整流电路、电容充放电电路和触发控制电路三部分；当电弧主电源的输出电压高于空载输出电压的75％，或输出电流低于30A时，触发控制电路判定阴极电弧源处于熄弧状态，并触发脉冲信号，整流电路同步将交流电220V转换成直流电360V，并开始对电容充电，当充电电压达到360V，光晶闸管VS1自行关断，光晶闸管VS1可靠关断2ms后，触发控制电路给光晶闸管VS2发出一个导通触发脉冲信号，电容的电压通过光晶闸管VS2施加到阴极电弧源的陶瓷触发极上，为陶瓷表面的沿面击穿提供脉冲放电电压。
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公开(公告)号：CN109786951A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811577559.5
申请日：2018-12-20
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明属于卫星天线技术领域，涉及一种热电防护一体化薄膜结构。所述薄膜由依次位于天线基底上的过渡层、导电层、热控层和防护层组成，过渡层的材料为Cr或Ti；导电层的材料为Au、Ag、Cu或Al；热控层的材料为氧化硅或氧化铝；防护层的材料为Ge。本发明所述薄膜实现了热电防护一体化，有效的增强天线微波传输能力，并实现一定范围的温度控制，实现对空间环境和静电的防护。
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