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公开(公告)号：CN115347137A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210516726.5
申请日：2022-05-12
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明提供沉积掩模和有机电子器件的制造方法。根据本发明的一种沉积掩模，包括作为单晶基板的第一基板，其中，作为所述第一基板的至少一部分的第一区域包括多个矩形区域，所述多个矩形区域中的各个矩形区域具有一个或多于一个开口，所述矩形区域中的基板厚度小于作为所述第一区域的一部分且不是所述矩形区域的区域中的基板厚度，以及所述矩形区域的边与所述第一基板的解理方向之间的角度θ1处于0°
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公开(公告)号：CN113285024A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110125879.2
申请日：2021-01-29
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及具有量子点的半导体器件、显示装置、成像系统、和移动体。一种半导体器件，其包括阳极、阴极、在阳极和阴极之间的第一功能层、和在第一功能层和阴极之间的第二功能层。第一功能层包含具有第一配体的第一量子点，和第二功能层包含具有与第一配体不同的第二配体的第二量子点。第二配体为具有硫键和酯键的芳香族化合物。
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公开(公告)号：CN1160483C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN97102271.2
申请日：1997-01-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32541 , H01J37/3277 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 在本发明的淀积设备中，安装在辉光放电空间(即与放电接触的空间)内的射频功率施加阴极的表面积大于包括带状构件在内的接地(阳极)电极整体的表面积，从而使安装在辉光放电空间的阴极电位(自偏置)相对于接地(阳极)电极自动保持在正电位。该偏置使得等离子体放电中的离子更加有效地朝带状构件加速，由此通过离子轰击有效地将能量施与淀积薄膜表面。该设备能在相当高的淀积速度下以高效率、高均匀性和高重复性生成微晶半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN1244031A
公开(公告)日：2000-02-09
申请号：CN99111914.2
申请日：1999-07-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/50 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32706 , H01L21/02425 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L31/1824 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种制造半导体层的方法,将原料气体引入放电室中,对该室施加高频功率,通过放电分解原料气体,在室中的衬底上形成半导体层,它包括步骤:提供至少是甚高频(VHF)的高频功率作为高频功率;对放电室施加直流功率的偏置功率和/或射频(RF)的高频功率同时还施加VHF高频功率;和控制流进对其施加偏置功率的电极中的电流的直流分量,使放电室内壁面积上的电流密度处于0.1A/m2至10A/m2的范围内。高质量的半导体层可大面积高速地淀积。
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公开(公告)号：CN1161820C
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN99111914.2
申请日：1999-07-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/50 , H01L31/18
CPC classification number: C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32706 , H01L21/02425 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L31/1824 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种制造半导体层的方法，将原料气体引入放电室中，对该室施加高频功率，通过放电分解原料气体，在室中的衬底上形成半导体层，它包括步骤：提供至少是甚高频(VHF)的高频功率作为高频功率；对放电室施加直流功率的偏置功率和/或射频(RF)的高频功率同时还施加VHF高频功率；和控制流进对其施加偏置功率的电极中的电流的直流分量，使放电室内壁面积上的电流密度处于0.1A/m2至10A/m2的范围内。高质量的半导体层可大面积高速地淀积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1097299C
公开(公告)日：2002-12-25
申请号：CN98109428.7
申请日：1998-03-09
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/1055 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 形成淀积膜、半导体元件和光电转换元件的工艺，在基片上形成包括非单晶半导体的第一导电类型半导体层；在第一导电类型半导体层上形成包括非晶半导体的基本上为i型半导体层；在其上形成包括微晶半导体的基本上为i型半导体层，同时降低它的膜形成速度；以及在包括微晶半导体的基本上为i型半导体层上形成包括非单晶半导体的第二导电类型半导体层。由此，可以得到具有高光电转换效率高生产率的光电转换元件。
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公开(公告)号：CN1338782A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN01140757.3
申请日：2001-07-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/24 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 在放电空间内,衬底201和阴极206相距d(cm)放置,含有一种或多种硅化合物的气体和氢气导引至放电空间,设定成膜压力P(Pa)和d的乘积Pd以及氢的流动速率M(SLM)以满足:80M+200≤Pd≤160M+333。在放电空间内施加射频功率以产生等离子体和在衬底201上形成无定形硅薄膜。从而提供了一种薄膜形成方法,使非晶硅膜的形成成为可能,其中在成膜速率获得提高的同时,还均可获得促进实现大面积的均匀的成膜速率分布和高的转化率。
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公开(公告)号：CN1163945A
公开(公告)日：1997-11-05
申请号：CN97102271.2
申请日：1997-01-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32541 , H01J37/3277 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 在本发明的淀积设备中，安装在辉光放电空间(即与放电接触的空间)内的射频功率施加阴极的表面积大于包括带状构件在内的接地(阳极)电极整体的表面积，从而使安装在辉光放电空间的阴极电位(自偏置)相对于接地(阳极)电极自动保持在正电位。该偏置使得等离子体放电中的离子更加有效地朝带状构件加速，由此通过离子轰击有效地将能量施与淀积薄膜表面。该设备能在相当高的淀积速度下以高效率、高均匀性和高重复性生成微晶半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN114481085A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111246758.X
申请日：2021-10-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/04 , H01L21/311
Abstract: 气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方法。气相沉积掩模包括硅基板，其包括第一区域和第二区域，第一区域具有第一厚度并包括配置有多个通孔的部分，第二区域配置在第一区域的外周并具有大于第一厚度的第二厚度。硅基板具有构成位于第一区域与第二区域之间的台阶的内壁。在平面视图中，内壁的外缘具有曲线部，并且在截面视图中，内壁具有多个台阶。
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公开(公告)号：CN1156022C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN97122850.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 由半导体结型元件组成的光生伏打元件，其特征是，该元件包括第1导电类型半导体层，非晶i型半导体层，微晶第2导电类型半导体层，这是pin结合的。制造光生伏打元件的方法和设备，其特征是，有效地而连续地大量生产光生伏打元件，它具有优良的电流电压特性，和优良的光电转换效率。光生伏打元件，在非晶i型层和微晶导电层之间有良好的晶格连续性，该方法和设备用于连续地大批量地生产光生伏打元件。
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