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公开(公告)号：CN1156022C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN97122850.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 由半导体结型元件组成的光生伏打元件，其特征是，该元件包括第1导电类型半导体层，非晶i型半导体层，微晶第2导电类型半导体层，这是pin结合的。制造光生伏打元件的方法和设备，其特征是，有效地而连续地大量生产光生伏打元件，它具有优良的电流电压特性，和优良的光电转换效率。光生伏打元件，在非晶i型层和微晶导电层之间有良好的晶格连续性，该方法和设备用于连续地大批量地生产光生伏打元件。
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公开(公告)号：CN1507011A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310116461.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/20 , C23C16/513
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种堆积膜形成设备，利用等离子体化学汽相淀积方法，在长的衬底上连续堆积多个半导体层，其特征是，至少第1堆积室具有使原材料气体沿着所述长衬底移动方向，从上部流入下部的装置，第2堆积室具有使原材料气体沿所述长衬底移动方向从下部流向上部的装置，所述第1堆积室和所述第2堆积室由分开的通路相互连接在一起。
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公开(公告)号：CN1197997A
公开(公告)日：1998-11-04
申请号：CN98109428.7
申请日：1998-03-09
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/1055 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 形成淀积膜、半导体元件和光电转换元件的工艺,在基片上形成包括非单晶半导体的第一导电类型半导体层;在第一导电类型半导体层上形成包括非晶半导体的基本上为i型半导体层;在其上形成包括微晶半导体的基本上为i型半导体层,同时降低它的膜形成速度;以及在包括微晶半导体的基本上为i型半导体层上形成包括非单晶半导体的第二导电类型半导体层。由此,可以得到具有高光电转换效率高生产率的光电转换元件。
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公开(公告)号：CN1269189C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200310116461.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/20 , C23C16/513
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种堆积膜形成设备，利用等离子体化学汽相淀积方法，在长的衬底上连续堆积多个半导体层，其特征是，至少第1堆积室具有使原材料气体沿着所述长衬底移动方向，从上部流入下部的装置，第2堆积室具有使原材料气体沿所述长衬底移动方向从下部流向上部的装置，所述第1堆积室和所述第2堆积室由分开的通路相互连接在一起。
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公开(公告)号：CN1186347A
公开(公告)日：1998-07-01
申请号：CN97122850.7
申请日：1997-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/20 , H01L21/205 , C23C16/50
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 由半导体结型元件组成的光生伏打元件,其特征是,该元件包括第1导电类型半导体层,非晶i型半导体层,微晶第2导电类型半导体层,这是pin结合的。制造光生伏打元件的方法和设备,其特征是,有效地而连续地大量生产光生伏打元件,它具有优良的电流电压特性,和优良的光电转换效率。光生伏打元件,在非晶i型层和微晶导电层之间有良好的晶格连续性,该方法和设备用于连续地大批量地生产光生伏打元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1014187B
公开(公告)日：1991-10-02
申请号：CN87102172
申请日：1987-01-23
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/0825 , G03G5/08235 , G03G5/08242 , G03G5/08257
Abstract: 用于电子照相技术中的光接收元件，包括复印用基体和由电荷注入阻挡层、光导层和表面层组成的光接收层。其中电荷注入阻挡层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和一种电导率控制元素组成；光导层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和选自氢原子和卤素原子的至少一种元素组成；表面层由含硅原子、碳原子和卤素原子的非晶态材料组成，且表面层中氢原子的含量在(41-70)原子%范围之内。
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公开(公告)号：CN87107592A
公开(公告)日：1988-10-12
申请号：CN87107592
申请日：1987-09-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L29/247 , H01L21/324 , H01L31/109 , H01L31/1105 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种改进的半导体器件，诸如改进的渐变带隙晶体管和改进的渐变带隙二极管，其特征在于该器件由含有硅原子、调节带隙的原子和降低定域能级的原子的非单晶材料构成，并且该器件至少在非结位置的一个方位上还具有一个带隙连续渐变的区域，而且只有导带和价带之一是连续渐变的。即显著地改善了频率特性，又改善了光敏效应。
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公开(公告)号：CN1056016C
公开(公告)日：2000-08-30
申请号：CN94120757.9
申请日：1994-12-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制造光电池的方法及由该方法制得的光电池。在基片上形成包括硅基非晶或微晶半导体层的步骤包括：用高频等离子CVD法分别形成第一导电类型半导体区和在其上形成i-型半导体区的步骤；用等离子掺杂法在所述i-型半导体区上形成导电类型与所述第一导电类型相反的第二导电类型半导体区的步骤。本发明的光电池能控制特性变化并可提供高光电转换效率和高输出电压，其特性不变而且均匀。
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公开(公告)号：CN1244031A
公开(公告)日：2000-02-09
申请号：CN99111914.2
申请日：1999-07-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/50 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32706 , H01L21/02425 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L31/1824 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种制造半导体层的方法,将原料气体引入放电室中,对该室施加高频功率,通过放电分解原料气体,在室中的衬底上形成半导体层,它包括步骤:提供至少是甚高频(VHF)的高频功率作为高频功率;对放电室施加直流功率的偏置功率和/或射频(RF)的高频功率同时还施加VHF高频功率;和控制流进对其施加偏置功率的电极中的电流的直流分量,使放电室内壁面积上的电流密度处于0.1A/m2至10A/m2的范围内。高质量的半导体层可大面积高速地淀积。
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公开(公告)号：CN1012593B
公开(公告)日：1991-05-08
申请号：CN87102296
申请日：1987-02-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08242 , G03G5/08228 , Y10S430/146
Abstract: 一个用于电子照相的光接收元件，它由基底和在基底上的光接收层构成，光接收层由一个显示光电导性的光电导层和一个表面层构成，光电导层由在硅原子阵列中含有氢原子和卤素原子中至少一种的非结晶材料构成，而表面层由含有硅原子，碳原子和氢原子组分的非结晶材料构成，在表面层中元素组分在层的厚度方向上的分布密度是变化的，以在与光电导层的界面上获得光学带隙的匹配。表面层中氢原子最大分布密度为41-70原子%。
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