公开(公告)号：CN111243947B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201911171440.2

申请日：2019-11-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 齐藤达也 ,  角田隆行

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开涉及半导体设备的制造方法及半导体设备。半导体设备的制造方法顺序地包括使用粘合剂将第一芯片和第二芯片接合在一起。第一芯片包括第一电极并具有凸部，并且第二芯片具有凹部。在接合中，第一芯片和第二芯片以使得凸部定位到凹部中的方式接合在一起。此外，该方法包括：在第二芯片中形成通孔以暴露第一电极，第一表面与具有凹部的第二表面相反；以及在通孔中形成电连接至第一电极的第二电极。

公开(公告)号：CN114481085A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111246758.X

申请日：2021-10-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边信一郎 ,  矢岛孝博 ,  齐藤达也 ,  内田达朗

IPC: C23C16/04 ,  H01L21/311

Abstract: 气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方法。气相沉积掩模包括硅基板，其包括第一区域和第二区域，第一区域具有第一厚度并包括配置有多个通孔的部分，第二区域配置在第一区域的外周并具有大于第一厚度的第二厚度。硅基板具有构成位于第一区域与第二区域之间的台阶的内壁。在平面视图中，内壁的外缘具有曲线部，并且在截面视图中，内壁具有多个台阶。

公开(公告)号：CN111243947A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201911171440.2

申请日：2019-11-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 齐藤达也 ,  角田隆行

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开涉及半导体设备的制造方法及半导体设备。半导体设备的制造方法顺序地包括使用粘合剂将第一芯片和第二芯片接合在一起。第一芯片包括第一电极并具有凸部，并且第二芯片具有凹部。在接合中，第一芯片和第二芯片以使得凸部定位到凹部中的方式接合在一起。此外，该方法包括：在第二芯片中形成通孔以暴露第一电极，第一表面与具有凹部的第二表面相反；以及在通孔中形成电连接至第一电极的第二电极。

公开(公告)号：CN102385063A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110244310.4

申请日：2011-08-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 田透 ,  齐藤达也 ,  安居伸浩 ,  堀江亮子

IPC: G01T1/202

CPC classification number: G01T1/1642 ,  A61B6/037 ,  G01T1/1644

Abstract: 本发明涉及三维放射线位置检测器。所述位置检测器包括：具有光检测元件的光检测器；和具有单轴光学各向异性的闪烁体晶体。闪烁体晶体在单轴方向上是连续的，并且被设置在光检测器上，使得所述单轴方向不与光检测表面的法线垂直，并且具有为光检测元件的节距的至少三倍的长度。单轴各向异性允许从在光检测表面上方并且最远离光检测表面的区域发射的闪烁光的至少4％到达光检测元件，并且允许从最接近光检测表面的区域发射的闪烁光的4％～35％到达光检测元件。

公开(公告)号：CN114481085B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202111246758.X

申请日：2021-10-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边信一郎 ,  矢岛孝博 ,  齐藤达也 ,  内田达朗

IPC: C23C16/04 ,  H01L21/311

Abstract: 气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方法。气相沉积掩模包括硅基板，其包括第一区域和第二区域，第一区域具有第一厚度并包括配置有多个通孔的部分，第二区域配置在第一区域的外周并具有大于第一厚度的第二厚度。硅基板具有构成位于第一区域与第二区域之间的台阶的内壁。在平面视图中，内壁的外缘具有曲线部，并且在截面视图中，内壁具有多个台阶。

公开(公告)号：CN102385063B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201110244310.4

申请日：2011-08-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 田透 ,  齐藤达也 ,  安居伸浩 ,  堀江亮子

IPC: G01T1/202

CPC classification number: G01T1/1642 ,  A61B6/037 ,  G01T1/1644

Abstract: 本发明涉及三维放射线位置检测器。所述位置检测器包括：具有光检测元件的光检测器；和具有单轴光学各向异性的闪烁体晶体。闪烁体晶体在单轴方向上是连续的，并且被设置在光检测器上，使得所述单轴方向不与光检测表面的法线垂直，并且具有为光检测元件的节距的至少三倍的长度。单轴各向异性允许从在光检测表面上方并且最远离光检测表面的区域发射的闪烁光的至少4％到达光检测元件，并且允许从最接近光检测表面的区域发射的闪烁光的4％～35％到达光检测元件。