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公开(公告)号：CN101379437B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200780004054.3
申请日：2007-01-30
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 一种电子照相感光构件的制造方法。为了使电子照相感光构件的表面形状最优化，从而提高清洁性能，提供一种制造这种电子照相感光构件的方法。在电子照相感光构件的制造方法中，具有使电子照相感光构件的表面与具有细凹凸表面形状的模具彼此压力接触，以将该细凹凸表面形状转印到电子照相感光构件的表面的步骤，该电子照相感光构件至少具有设置在筒状支撑体上的电荷输送层，模具和支撑体被温度控制成T3＜T1＜T2，其中，T1(℃ )表示电荷输送层的玻璃转换温度，T2(℃ )表示模具的温度，T3(℃ )表示支撑体的温度。
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公开(公告)号：CN101379439B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200780004085.9
申请日：2007-01-30
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 提供抑制构件表面引起不良图像的尺寸的擦伤，而不依靠提高机械强度并能够长时间形成良好图像的电子照相感光构件，以及具有该感光构件的处理盒和电子照相设备。在具有支承体和感光层的电子照相感光构件中，该感光构件具有包含多个彼此独立的凹陷部的表面，凹陷部各自具有0.1μm以上至10μm以下的长轴径Rpc和0.1μm以上至10μm以下的短轴径Lpc以及0.1μm以上至10μm以下的各凹陷部的最深部分与其开口之间的距离Rdv；和，其中将所述表面沿感光构件旋转方向等分为4个区域，然后沿与该感光构件旋转方向垂直方向等分为25个区域，从而得到总计100-点区域A，和在其每一点区域，设置每边为50μm的正方形区域B，其一边平行于该旋转方向，并将区域B各自通过499条平行于感光构件旋转方向的直线等分为500个区域，在这些线中的400条线至499条线穿过该各区域B中的凹陷部。
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公开(公告)号：CN101379438A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200780004064.7
申请日：2007-01-30
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 提供一种电子照相感光构件，该电子照相感光构件即使在长期使用时也能改进清洁性能并获得良好图像再现性。还提供使用所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。所述电子照相感光构件的感光层表面具有多个相互独立的凹陷部。当所述凹陷部的长轴径为Rpc，和所述凹陷部的最深处与开口之间的距离为Rdv时，深度与长轴径之间的比(Rdv/Rpc)为大于1.0至7.0以下。
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公开(公告)号：CN1759013A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200480006655.4
申请日：2004-03-12
Applicant: 味之素株式会社 , 株式会社宇宙环境工学研究所 , 佳能株式会社
IPC: B41J29/26
CPC classification number: B41J2/36 , Y10T428/31507
Abstract: 本发明提供一种容易并且快速清除在印刷物品上形成的图像(包括字符)的方法，和采用所述方法的设备。使带有在包括无机颜料的表面上形成的图像的印刷物品暴露于由在一对相对电极之间施加电压引起的沿面放电或电晕放电产生的反应气体之下，从而清除图像。
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公开(公告)号：CN111243947B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201911171440.2
申请日：2019-11-26
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体设备的制造方法及半导体设备。半导体设备的制造方法顺序地包括使用粘合剂将第一芯片和第二芯片接合在一起。第一芯片包括第一电极并具有凸部，并且第二芯片具有凹部。在接合中，第一芯片和第二芯片以使得凸部定位到凹部中的方式接合在一起。此外，该方法包括：在第二芯片中形成通孔以暴露第一电极，第一表面与具有凹部的第二表面相反；以及在通孔中形成电连接至第一电极的第二电极。
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公开(公告)号：CN102194857A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110065412.X
申请日：2011-03-18
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L51/5234 , H01L27/3211 , H01L51/5206 , H01L51/5275 , H01L2251/558
Abstract: 在包括像素的显示装置中，每个像素具有发红色、绿色和蓝色(RGB)的有机EL元件和折射率控制层，每个有机EL元件的光取出侧的电极是与电荷传输层接触的银层，在该银层上配置发RGB色的有机EL元件通用的折射率控制层，并且由下式表示的有效折射率(neff)在1.4-2.3的范围内。neff＝0.7×nu+0.3×nd上式中，nu表示折射率控制层3的折射率，和nd表示电荷传输层1的折射率。
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公开(公告)号：CN101375212B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200780003896.7
申请日：2007-01-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/00
CPC classification number: G03G5/047 , G03G5/05 , G03G5/0525 , G03G5/10
Abstract: 公开一种用于生产电子照相感光体的方法。该电子照相感光体包括导电性支承体和在其上设置的至少包含树脂的表面层。该方法包括在通过用具有400nm以下波长和具有100ns以下脉冲宽度的输出特性的激光光照射而在该表面层上形成许多凹陷部的步骤。
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公开(公告)号：CN101379436A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200780004124.5
申请日：2007-01-30
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 公开了一种在各种环境下均具有优异的清洁性能和改进的耐久性、并且抑制图像缺陷的电子照相感光构件。该电子照相感光构件具有支撑体和设置在支撑体上的感光层。在电子照相感光构件的表面上形成彼此独立的凹陷部，使得每100μm见方的面积中的凹陷部的数量大于等于76且小于等于1000。凹陷部的开口的平均长轴直径大于3.0μm且小于等于14.0μm。
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公开(公告)号：CN113285024A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110125879.2
申请日：2021-01-29
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及具有量子点的半导体器件、显示装置、成像系统、和移动体。一种半导体器件，其包括阳极、阴极、在阳极和阴极之间的第一功能层、和在第一功能层和阴极之间的第二功能层。第一功能层包含具有第一配体的第一量子点，和第二功能层包含具有与第一配体不同的第二配体的第二量子点。第二配体为具有硫键和酯键的芳香族化合物。
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