沉积掩模和有机电子器件的制造方法

    公开(公告)号:CN115347137A

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202210516726.5

    申请日:2022-05-12

    Abstract: 本发明提供沉积掩模和有机电子器件的制造方法。根据本发明的一种沉积掩模,包括作为单晶基板的第一基板,其中,作为所述第一基板的至少一部分的第一区域包括多个矩形区域,所述多个矩形区域中的各个矩形区域具有一个或多于一个开口,所述矩形区域中的基板厚度小于作为所述第一区域的一部分且不是所述矩形区域的区域中的基板厚度,以及所述矩形区域的边与所述第一基板的解理方向之间的角度θ1处于0°

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