采用等效物理结构模型测量SiO2薄膜厚度的方法

    公开(公告)号:CN109238155B

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201811296986.6

    申请日:2018-11-01

    Abstract: 本发明为一种采用等效物理结构模型测量SiO2薄膜厚度的方法,其特征在于:所述测量SiO2薄膜厚度的方法是基于椭偏法采用微纳米薄膜厚度标准样片结合等效物理结构模型进行测量SiO2薄膜的厚度,所述的等效物理结构模型是根据SiO2薄膜的实际多层膜物理结构模型建立的简化等效物理结构模型,实际多层膜物理结构模型顺序包括表面粗糙层、SiO2薄膜层、中间混合层及Si基底层,其中所述的中间混合层为Si基底层与SiO2薄膜层之间反应产生的SixOy产物膜层。本发明可保证不同厂家、型号的椭偏仪建立薄膜物理结构模型的统一性与结果的一致性,为建立和完善微纳米薄膜量值溯源体系奠定基础。

    一种微纳米台阶标准样板及其循迹方法

    公开(公告)号:CN106931916A

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201710130912.4

    申请日:2017-03-07

    CPC classification number: G01B21/042 G01B15/00 G01Q40/02

    Abstract: 本发明为一种微纳米台阶标准样板及其循迹方法,其特征在于:所述的微纳米台阶标准样板包括A工作区域及B循迹区域;所述的A工作区域内设有一个纳米级台阶、四个校准定位块及四个循迹参考定位块,通过所述B循迹区域内两对相互对称的等腰三角形形状的循迹标识符配合设置的设计单位标识符和样板型号标识符,确定微纳米台阶标准样板摆放方向与具体位置,通过所述A工作区域内的四个校准定位块在A工作区域内从纵向上快速校准定位,通过所述A工作区域内的四个循迹参考定位块在A工作区域内从横向上快速进行定位,并通过两两循迹参考定位块间的间隙确定测量的初始位置,完成整个校准过程,实现快速、高效的定位和校准,并具有很好的重复性。

    采用等效物理结构模型测量SiO2薄膜厚度的方法

    公开(公告)号:CN109238155A

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201811296986.6

    申请日:2018-11-01

    Abstract: 本发明为一种采用等效物理结构模型测量SiO2薄膜厚度的方法,其特征在于:所述测量SiO2薄膜厚度的方法是基于椭偏法采用微纳米薄膜厚度标准样片结合等效物理结构模型进行测量Si/SiO2薄膜的厚度,所述的等效物理结构模型是根据Si/SiO2薄膜的实际多层膜物理结构模型建立的简化等效物理结构模型,实际多层膜物理结构模型顺序包括表面粗糙层、SiO2薄膜层、中间混合层及Si基底,其中所述的中间混合层为Si基底与SiO2薄膜层之间反应产生的SixOy产物膜层。本发明可保证不同厂家、型号的椭偏仪建立薄膜物理结构模型的统一性与结果的一致性,为建立和完善微纳米薄膜量值溯源体系奠定基础。

    基于白光干涉术的测试系统及其测试方法

    公开(公告)号:CN106017349A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610401870.9

    申请日:2016-06-08

    CPC classification number: G01B11/2441

    Abstract: 本发明为一种基于白光干涉术的测试系统及其测试方法,其特征在于:所述的测试系统包括显微光学系统、数字CCD摄像机、图像采集卡、干涉系统、压电陶瓷、压电陶瓷控制器、气浮平台、白光卤素光源和PC机。本发明的测试方法通过PC机操作压电陶瓷控制器控制压电陶瓷带动被测样品进行垂直扫描,使干涉条纹扫过被测区域,并由数字CCD摄像机记录采集的图像;PC机对采集的图像滤波后提取单个像素点的白光干涉信号,减去得到的白光干涉条纹的背景光强值,对各像素点的光强进行时域到频域的转换,在频域内做分解,得到波数和相位的关系;通过综合干涉信号频域内波数与相位信息从而得到零光程差的位置,实现表面高度信息的提取。

    一种测量SiO2薄膜厚度用的等效物理结构模型

    公开(公告)号:CN209116974U

    公开(公告)日:2019-07-16

    申请号:CN201821794604.8

    申请日:2018-11-01

    Abstract: 本实用新型为一种测量SiO2薄膜厚度用的等效物理结构模型,其特征在于:所述测量SiO2薄膜厚度是基于椭偏法采用微纳米薄膜厚度标准样片结合等效物理结构模型进行测量的,所述的等效物理结构模型是根据Si/SiO2薄膜的实际多层膜物理结构模型建立的简化等效物理结构模型,实际多层膜物理结构模型顺序包括表面粗糙层、SiO2薄膜层、中间混合层及Si基底,其中所述的中间混合层为Si基底与SiO2薄膜层之间反应产生的SixOy产物膜层。本实用新型可保证不同厂家、型号的椭偏仪建立薄膜物理结构模型的统一性与结果的一致性,为建立和完善微纳米薄膜量值溯源体系奠定基础。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种基于四象限光电探测器的三维微接触式测量装置及方法

    公开(公告)号:CN110726378A

    公开(公告)日:2020-01-24

    申请号:CN201911100142.4

    申请日:2019-11-12

    Abstract: 本发明涉及一种基于四象限光电探测器的三维微接触式测量装置及方法,在利用本发明的一种基于四象限光电探测器的三维微接触式测量装置对样品表面参数进行测量时,开启激光光源并对X轴四象限光电探测器、Y轴四象限光电探测器、Z轴四象限光电探测器进行校正之后,将测端球沿被测样品的表面接触扫描;测端球通过测针以及中心连接部带动四棱锥反射镜产生位置变化,从而使得四棱锥反射镜的三个反射面反射至X轴四象限光电探测器、Y轴四象限光电探测器、Z轴四象限光电探测器上的光斑产生偏移量;根据光斑所产生的偏移量可以得出测端球与样品表面接触点的X轴方向、Y轴方向、Z轴方向的坐标参数。

    物体平面微、纳米尺寸的测量装置及其测量方法

    公开(公告)号:CN101504273B

    公开(公告)日:2010-08-11

    申请号:CN200910056935.0

    申请日:2009-03-06

    Abstract: 本发明为一种物体平面微、纳米尺寸的测量装置及其测量方法,其特征在于:包括纳米定位测量机、光学显微镜测头和数据处理器,纳米定位测量机箱体内设有三个微型平面镜干涉仪和两个角度传感器来实现计量性的定位和测量,纳米定位测量机箱体一侧垂直支撑其固定支架,固定支架的另一端安装光学显微镜测头,光学显微镜测头底下是被测物体和载物台;被测物体经光学显微镜测头成像后,图像数据传递到数据处理器,数据处理器将接收到的数据进行数值转换获取被测物体在光学显微镜测头视场内的灰度图,在灰度图中设定线宽方向,然后设定沿此方向的区域,计算所述区域内各像素点的灰度算术平均值,并将所述灰度算术平均值经数模转换后发送到纳米测量机。

    一种用于微纳米坐标测量的多测头测量方法与装置

    公开(公告)号:CN101793499A

    公开(公告)日:2010-08-04

    申请号:CN201010136223.2

    申请日:2010-03-30

    Inventor: 李源 陈欣 王丽华

    Abstract: 本发明为一种用于微纳米坐标测量的多测头测量方法与装置。将微纳米多测头系统安装在三维高精度位移平台上,Z向平移台上安装载物台,载物台下面有俯仰和偏摆微调机构。多测头系统的测量装置放置在隔离腔中,测量装置的控制信号和多测头系统的传感信号与隔离腔外的DAQ卡,控制箱和计算机相连。将一个测头中心作为坐标系的原点,把其他几个测头所在位置坐标依次匹配到坐标系中。对多测头系统进行校准,对各测头在统一坐标系中的位置坐标进行校准。测量时,由与被测点最近的测头进行测量。将各被测点对应的三维位移平台的位移量,转换为各被测点在坐标系中的坐标,计算出被测尺寸。本发明方法具有工作效率高、测量精度高的优点。

    共聚焦三维测量装置及其多孔径尼普科夫圆盘

    公开(公告)号:CN109375355A

    公开(公告)日:2019-02-22

    申请号:CN201811221733.2

    申请日:2018-10-19

    Abstract: 本发明涉及一种共聚焦三维测量装置及其多孔径尼普科夫圆盘,由于在多孔径尼普科夫圆盘上至少设有一个环形的扫描带,不同的扫描带中的透过孔的直径不同,这样,就可以根据显微物镜的放大倍率而选择具有合适直径的透光孔的扫描带来过滤和聚焦光线,从而使得合适直径的透光孔处于工作状态,使得测量装置的分辨力和精度指标达到最优状态。由此可见,本发明的一种共聚焦三维测量装置中的多孔径尼普科夫圆盘能够提高测量分辨力和精度。

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