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公开(公告)号：CN118800652A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310396028.0
申请日：2023-04-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/3065 , H01L21/04 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种碳化硅沟槽刻蚀方法，涉及半导体器件制造技术领域，以解决微沟槽结构导致碳化硅器件耐压能力下降、可靠性降低的问题。所述碳化硅沟槽刻蚀方法包括在SiC衬底上刻蚀形成第一SiC沟槽，第一SiC沟槽的底部具有微沟槽结构；对第一SiC沟槽的底部进行刻蚀，形成第二SiC沟槽，以消除微沟槽结构。
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公开(公告)号：CN118398487A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202311265457.0
申请日：2023-09-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/872 , H01L29/417 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种新型肖特基二极管及其制作方法。本发明的新型肖特基二极管的制作方法，包括如下步骤：S1：在衬底的外延层上形成肖特基金属区域图形；S2：光刻后制作肖特基金属，在肖特基金属区域图形形成T型结构；S3：制作阳极电极，对外延层进行电隔离腐蚀；S4：制作空气桥金属形成空气桥结构，制得新型肖特基二极管。本发明通过消除边缘电场聚积效应和减少由肖特基结边缘势垒降低带来的泄漏电流来改善肖特基二极管的特性。
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公开(公告)号：CN115440826A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211153541.9
申请日：2022-09-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管的制造方法，涉及二极管技术领域，用于减小肖特基结与N型轻掺杂层之间的接触面积，降低肖特基接触部分的结电容，进而提高肖特基二极管的器件耐压特性，降低肖特基二极管在超高频的工作环境下击穿的风险。所述肖特基二极管的制造方法包括：提供一半导体基底。半导体基底包括衬底、N型重掺杂层和N型轻掺杂层。沿远离衬底的方向，N型重掺杂层和N型轻掺杂层依次层叠设置在衬底的一侧。在部分N型轻掺杂层上形成肖特基接触层，以获得肖特基结。在肖特基接触层的掩膜作用下，至少对部分N型轻掺杂层进行回刻处理和钻刻处理，以至少使得N型轻掺杂层与肖特基接触层接触的部分的侧壁相对于肖特基接触层的侧壁向内凹入。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108206319A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711268056.5
申请日：2017-12-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01P1/207 , B81B7/02 , B81C1/00531 , B81C1/00539 , H01P11/007
Abstract: 本发明提供一种悬浮结构微波滤波器，包括：上层硅片，上层硅片的下表面刻蚀有凹腔，用于形成封装帽结构；下层硅片，下层硅片的上表面沉积有介质薄膜，介质薄膜上形成有交指电极图形；其中，下层硅片上表面的介质薄膜下方的硅衬底被去除，形成介质薄膜的悬浮状态，上层硅片和下层硅片通过对准键合工艺堆叠组装。本发明能够实现体积小、损耗低、高性能的微波滤波器。
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公开(公告)号：CN116730276A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210214889.8
申请日：2022-03-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS红外光源及其制作方法，MEMS红外光源包括：衬底、支撑层、调节发射结构、加热结构和电极结构；所述调节发射结构包括：第一金属层、介质层和第二金属层；所述第一金属层贴合在所述介质层的下方，所述第二金属层贴合在所述介质层的上方，所述第一金属层与所述支撑层连接；所述加热结构贴合在所述介质层的上方，所述加热结构与所述第二金属层间隙配合，所述加热结构与所述电极结构电连接；所述支撑层与所述衬底连接，所述支撑层用于将调节发射结构固定在衬底上。本发明能够提高MEMS红外光源的调制特性。
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公开(公告)号：CN109781499B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201910086032.0
申请日：2019-01-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种温度反应器及其制作方法。通过在温度反应器制作工艺过程中形成密封腔体和观察窗口并在形成密封腔体的密封层中设置测温电阻，本发明能够克服传统温度反应器使用时存在的上下窗口难以对准导致的测试样品容易污染、温度反应器密封性差、测试观察过程中加温不准确以及传统的温度反应器在TEM/SEM类测试设备内部不易观察和探测等问题。
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公开(公告)号：CN118412274A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202311450648.4
申请日：2023-11-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/67 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种SiC刻蚀方法和SiC器件。本发明的SiC刻蚀方法包括如下步骤：S1：在SiC衬底上制备掩膜层并进行图形化；S2：采用电感耦合等离子体对SiC衬底进行刻蚀，刻蚀条件包括：ICP功率为750～800W，RF功率为100～200W，腔体压力为2～2.5Pa，刻蚀气体包括SF6、O2和Ar，刻蚀气体中SF6、O2和Ar之间的气体流量比为(1～2)：(1～3)：(1～3)。本发明的SiC刻蚀方法能够消除SiC刻蚀时产生的微沟槽，从而保证了SiC器件的性能及可靠性。
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公开(公告)号：CN109781499A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910086032.0
申请日：2019-01-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种温度反应器及其制作方法。通过在温度反应器制作工艺过程中形成密封腔体和观察窗口并在形成密封腔体的密封层中设置测温电阻，本发明能够克服传统温度反应器使用时存在的上下窗口难以对准导致的测试样品容易污染、温度反应器密封性差、测试观察过程中加温不准确以及传统的温度反应器在TEM/SEM类测试设备内部不易观察和探测等问题。
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