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公开(公告)号：CN119965570A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510088951.7
申请日：2025-01-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种双面波束扫描透射阵列天线，涉及无线通信技术领域，用于解决现有技术中的方案只能实现平面一侧的波束赋形，难以获得更大范围的波束覆盖，不利于大规模的通信数据传输的问题。包括：第一透射阵列，第二透射阵列以及馈源天线阵；第一透射阵列以及第二透射阵列均包括具有相位补偿能力的透射单元；馈源天线阵包括馈源天线单元，且馈源天线阵与第二透射阵列集成。采用具有双向透射功能的阵列天线组合，用馈源天线阵进行激励，实现了透射阵列天线的双面波束扫描功能，扩大了波束扫描的范围，提升了天线阵的性能，利于大规模的通信数据传输。
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公开(公告)号：CN117174634A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210584698.0
申请日：2022-05-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/683 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种微型芯片的非接触式吸头及制备方法、贴片方法，属于半导体封装技术领域，解决了现有技术中微型芯片无法实现非接触拾取的问题。吸头包括第一分离体、第二分离体和真空吸盘；第一分离体上开设进气通道和喇叭型腔，进气通道与喇叭型腔连接；第二分离体位于喇叭型腔的进气口，第二分离体包括喷流盘和多个凸起，凸起设于喷流盘朝向喇叭型腔进气口的一面。制备方法包括制备第一分离体和第二分离体；进行组装。贴片方法包括非接触式吸头对微型芯片的正面进行拾取；微型芯片的背面置于真空接触吸头上；微型芯片的正面与晶圆接触进行加压贴片。该非接触式吸头及制备方法、贴片方法可用于微型芯片的贴片。
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公开(公告)号：CN106000776A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610565195.3
申请日：2016-07-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: B05C5/0291 , B05C11/10 , B05C13/02
Abstract: 本发明公开了一种涂胶装置，该装置包括载台、吸附于载台之上的晶圆，以及晶圆上方的胶体注入管路，胶体注入管路具有一喷头，该喷头正对晶圆表面，该装置还包括：一圆形托盘，设置于晶圆上方，在涂胶时该圆形托盘与晶圆一起夹住旋涂于晶圆表面的胶体，使胶体不会朝某个方向流出，并能得到较厚的胶膜。对于需要将粘度较小的胶涂布成较厚的膜时，本发明提供的这种涂胶装置，圆形托盘与晶圆可以一起先将胶体夹住一段时间，等胶体粘度增大到某个点时，再进行旋涂，进而能够得到较厚的胶膜。
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公开(公告)号：CN103839903B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410086565.6
申请日：2014-03-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/73204
Abstract: 本发明涉及电子封装技术领域，特别涉及一种带散热功能的三维堆叠芯片的制造方法，芯片包括顶层芯片单元、底层芯片单元及芯片基板。顶层芯片单元垂直连接在底层芯片单元的上方；芯片基板与底层芯片单元的底部连接。本发明提供的带散热功能的三维堆叠芯片及其制造方法，高热导率的散热单元制作工艺成熟、结构简单、制作成本低。散热单元将堆叠芯片热量直接从芯片内部传导至封装体外部进行散热，散热效率高。同时，在散热单元的上、下表面制作孔、槽、缝等结构，使散热层在长宽高尺寸一定的情况下，散热面积有效的增大，从而增加了散热单元的散热效率。
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公开(公告)号：CN105158848A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510530375.3
申请日：2015-08-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种玻璃基底的多模波导阵列耦合结构及其制作方法，所述多模波导阵列耦合结构包括：玻璃基底，制作有多模波导，所述多模波导间隔设置，所述玻璃基底的第一端面切割有45度的倾角，使得所述多模波导的端部被处理成45度的反射结构；波导盖片，盖设于所述多模波导的顶面。本申请通过将具有多模波导的玻璃基底切割有45度的倾角，使得所述多模波导的端部被处理成45度，由于玻璃基底切割以及研磨的工艺成熟，因此能够大规模生产、易于实现，解决了采用直接耦合时光纤研磨的质量和耦合效率很难控制的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104505351A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410838535.6
申请日：2014-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15184 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L24/89 , H01L2224/89
Abstract: 本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种侧向互连的堆叠封装结构的制备方法，该结构包括上层封装体与下层封装体，该方法包括：制作底部具有多个层问焊球的上层封装体；制作具有再分布层和侧向互连结构的下层封装体，其中，再分布层形成于该下层封装体的下层塑封的顶部，侧向互连结构形成于该下层封装体的下层塑封的四周；将上层封装体与下层封装体对准焊接，使多个层问焊球、再分布层与侧向互连结构构成互连通道，进而形成侧向互连的堆叠封装结构。本发明利用侧向互连和塑封顶部的再分布层，提高了上封装体与下封装体之间互连通道的数量。本发明还将侧向互连结构与穿透模塑过孔技术结合，进一步提高了上封装体与下封装体之间互连通道的数量。
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公开(公告)号：CN104459420A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410841720.0
申请日：2014-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种TSV孔内介质层的电学性能检测方法。包括：将沉积有介质层的TSV晶圆正向放置在真空环境中，晶圆上的TSV孔的开口朝上。在TSV孔内注入去离子水，并测量去离子水的流量；检测TSV孔内的液面高度，当去离子水注满TSV孔时，停止注入去离子水，记录去离子水的总流量。对晶圆进行干燥，除去TSV孔内的去离子水；将晶圆反向放置，TSV孔的开口朝下。在TSV孔内注入汞，并测量汞的流量，控制汞的总流量小于记录的去离子水的总流量；采用汞探针C-V测试仪对TSV孔进行电学性能检测。本发明提供的TSV孔内介质层的电学性能检测方法，能够方便地对TSV孔进行电学性能检测。
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公开(公告)号：CN103094256A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110351244.0
申请日：2011-11-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/552 , H05K9/00 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15331 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种封装系统，该封装系统包括：相对设置的第一基板和第二基板；位于所述第一基板一面上且朝向第二基板的第一屏蔽层，位于所述第二基板一面上且朝向第一基板的第二屏蔽层，所述第一屏蔽层和第二屏蔽层均接地或接电源；位于所述第一屏蔽层上的第一元器件；位于所述第一元器件四周的屏蔽焊球，所述屏蔽焊球接地或接电源。本发明所提供的封装系统，可以在不增加系统体积的前提下，有效地解决EMC问题，提高系统的灵敏度。
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公开(公告)号：CN102104033A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910311791.9
申请日：2009-12-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种三维混合信号芯片堆叠封装体，属于半导体元器件技术领域。该芯片堆叠封装体包括一封装基板，在封装基板上堆叠固定有最内层塑封层以及至少一层外部塑封层；每层塑封层内至少塑封有一块芯片；每层塑封层将其相邻的内部塑封层完全覆盖并与封装基板相连接；任意相邻的两层塑封层之间涂覆有屏蔽胶；屏蔽胶与封装基板的连接处分布有多个导热孔；每层塑封层内的芯片皆与封装基板电连接。此外，本发明还公开了一种三维混合信号芯片堆叠封装体的制备方法。本发明的三维混合信号芯片堆叠封装体结构适用于各种射频数字，模拟数字或者需要屏蔽的多个高速数字芯片等多芯片混合系统堆叠封装，具有较高的屏蔽效能和较好的散热性与机械性能。
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公开(公告)号：CN120008750A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202311513791.3
申请日：2023-11-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明涉及一种采用背照式PSD阵列的超大靶面夏克‑哈特曼波前探测器，属于光电探测器技术领域，通过采用背照式PSD阵列制成超大靶面显著提高占空比，极大提升波前探测速率，并基于分时选通算法接收所有PSD电流信号经过信号处理得到光斑偏移，进一步提高波前探测精度和运算速度，解决了现有技术中CCD、正射式PSD速度慢、靶面小、波前探测精度低的问题。
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