公开(公告)号：CN115440826A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202211153541.9

申请日：2022-09-21

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 穆成星 ,  周静涛 ,  金智 ,  苏永波 ,  韩超 ,  蒋文静 ,  刘志成 ,  武楠

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管的制造方法，涉及二极管技术领域，用于减小肖特基结与N型轻掺杂层之间的接触面积，降低肖特基接触部分的结电容，进而提高肖特基二极管的器件耐压特性，降低肖特基二极管在超高频的工作环境下击穿的风险。所述肖特基二极管的制造方法包括：提供一半导体基底。半导体基底包括衬底、N型重掺杂层和N型轻掺杂层。沿远离衬底的方向，N型重掺杂层和N型轻掺杂层依次层叠设置在衬底的一侧。在部分N型轻掺杂层上形成肖特基接触层，以获得肖特基结。在肖特基接触层的掩膜作用下，至少对部分N型轻掺杂层进行回刻处理和钻刻处理，以至少使得N型轻掺杂层与肖特基接触层接触的部分的侧壁相对于肖特基接触层的侧壁向内凹入。