公开(公告)号：CN118800652A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202310396028.0

申请日：2023-04-13

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 杨成樾 ,  蒋文静 ,  刘新宇 ,  王臻星 ,  张润泽 ,  汤益丹 ,  白云 ,  田晓丽 ,  郝继龙

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/04 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开一种碳化硅沟槽刻蚀方法，涉及半导体器件制造技术领域，以解决微沟槽结构导致碳化硅器件耐压能力下降、可靠性降低的问题。所述碳化硅沟槽刻蚀方法包括在SiC衬底上刻蚀形成第一SiC沟槽，第一SiC沟槽的底部具有微沟槽结构；对第一SiC沟槽的底部进行刻蚀，形成第二SiC沟槽，以消除微沟槽结构。

公开(公告)号：CN118398487A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202311265457.0

申请日：2023-09-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 蒋文静 ,  周静涛 ,  杨成樾 ,  张润泽

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种新型肖特基二极管及其制作方法。本发明的新型肖特基二极管的制作方法，包括如下步骤：S1：在衬底的外延层上形成肖特基金属区域图形；S2：光刻后制作肖特基金属，在肖特基金属区域图形形成T型结构；S3：制作阳极电极，对外延层进行电隔离腐蚀；S4：制作空气桥金属形成空气桥结构，制得新型肖特基二极管。本发明通过消除边缘电场聚积效应和减少由肖特基结边缘势垒降低带来的泄漏电流来改善肖特基二极管的特性。