公开(公告)号：CN108615770A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201810227333.6

申请日：2018-03-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王盛凯 ,  赵晓亮

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  G01R29/02 ,  G01R29/027 ,  G01R29/24

Abstract: 本申请提供了一种场效应晶体管与检波电路。该场效应晶体管包括依次叠置的背栅层、衬底层、栅介质层、半导体层以及金属电极，且金属电极有两个，两个金属电极间隔地设置在半导体层的远离栅介质层的表面上，栅介质层包括主体和分散在主体中的离子。该场效应晶体管中的栅介质层中包括一定浓度的离子，可以起到栅的作用，并且利用栅介质层/半导体层之间的界面处或栅介质层中的电荷的非平衡分布，实现器件中的电流随时间变化。由此可知，该场效应晶体管的工作发生在断电状态，功耗基本为0，可以有效地节省能源。

公开(公告)号：CN108615770B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201810227333.6

申请日：2018-03-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王盛凯 ,  赵晓亮

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  G01R29/02 ,  G01R29/027 ,  G01R29/24

Abstract: 本申请提供了一种场效应晶体管与检波电路。该场效应晶体管包括依次叠置的背栅层、衬底层、栅介质层、半导体层以及金属电极，且金属电极有两个，两个金属电极间隔地设置在半导体层的远离栅介质层的表面上，栅介质层包括主体和分散在主体中的离子。该场效应晶体管中的栅介质层中包括一定浓度的离子，可以起到栅的作用，并且利用栅介质层/半导体层之间的界面处或栅介质层中的电荷的非平衡分布，实现器件中的电流随时间变化。由此可知，该场效应晶体管的工作发生在断电状态，功耗基本为0，可以有效地节省能源。

公开(公告)号：CN108336145A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810086638.X

申请日：2018-01-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  北京大学

Inventor： 王盛凯 ,  梁学磊 ,  黄奇 ,  赵杰 ,  赵晓亮

IPC: H01L29/786 ,  G06N3/063

CPC classification number: H01L29/786 ,  G06N3/0635

Abstract: 本发明提供了一种人工神经元结构及其制备方法、信号和时间提取方法，其中，该人工神经元结构，包括：衬底；背栅金属层，位于所述衬底下方；外延层，位于所述衬底上方；两个互不接触的源漏金属层，位于所述外延层上方；以及有机薄膜层，分别与两个所述源漏金属层接触，且叠置于所述外延层之上，其中，该有机薄膜层上设有两个开孔，用于裸露至少部分的两个所述源漏金属层。该人工神经元结构通过模拟生物神经元的工作原理，利用电化学反应提供的电荷调控半导体沟道中的载流子浓度分布，对多种电刺激实现对应的输出；具有含时变化的特性；可以断电工作，使静态功耗降低至零，适合低功耗电路应用；同时还具有非常广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN108336145B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201810086638.X

申请日：2018-01-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  北京大学

Inventor： 王盛凯 ,  梁学磊 ,  黄奇 ,  赵杰 ,  赵晓亮

IPC: H01L29/786 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明提供了一种人工神经元结构及其制备方法、信号和时间提取方法，其中，该人工神经元结构，包括：衬底；背栅金属层，位于所述衬底下方；外延层，位于所述衬底上方；两个互不接触的源漏金属层，位于所述外延层上方；以及有机薄膜层，分别与两个所述源漏金属层接触，且叠置于所述外延层之上，其中，该有机薄膜层上设有两个开孔，用于裸露至少部分的两个所述源漏金属层。该人工神经元结构通过模拟生物神经元的工作原理，利用电化学反应提供的电荷调控半导体沟道中的载流子浓度分布，对多种电刺激实现对应的输出；具有含时变化的特性；可以断电工作，使静态功耗降低至零，适合低功耗电路应用；同时还具有非常广泛的应用前景。