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公开(公告)号：CN101440516A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710177780.7
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及新材料技术领域，特别是利用闭管式化学气相传输法生长氧化锌(ZnO)体单晶的过程中，生长出可控掺杂的氧化锌体单晶的方法。闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法是在封闭的石英管内，一端放置高纯ZnO粉作为源及少量的高纯碳作为传输剂，另一端放置籽晶，通过控制放入源区的掺杂物质的量及源区和生长区的温度分布实现气相传输，生长掺杂可控的ZnO体单晶。选用一端为平面封口的圆形石英管作外管，再选用一根外径与籽晶片直径相同的石英管作内管，用来顶住籽晶片，使其固定在石英管的平面端。把要掺杂的物质直接与ZnO粉及高纯碳粉放置在内管的另一端，然后外管接真空系统，抽真空后用石英封泡封闭，将封好口的石英管放入水平加热炉内升温加热，控制温度分布进行掺杂ZnO单晶生长。
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公开(公告)号：CN1978713A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510126238.X
申请日：2005-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及微电子和光电子用化合物半导体材料制备技术领域，特别是一种闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法。在封闭的石英管内，一端放置高纯ZnO粉作为源，另一端放置籽晶，通过控制源区与生长区的温度分布实现气相传输，生长ZnO体单晶，在生长过程中放入少量的高纯碳。选用一端为平面封口的圆形石英管作外管，再选用一根外径与籽晶片直径相同的石英管称为内管，用来顶住籽晶片，使其固定在石英管的平面端，ZnO粉放置在内管的另一端，同时放入少量的高纯碳粉，然后外管接真空系统，抽真空后用石英封泡封闭，将封好口的石英管放入水平加热炉内升温加热，控制温度分布进行ZnO单晶生 长。
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公开(公告)号：CN108546986B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201810358210.6
申请日：2018-04-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本发明公开了一种籽晶保护装置及单晶生长方法。该籽晶保护装置，包括：石英舟，包含：石英舟本体，用于存放晶体原料；以及籽晶引入通道，包含：通道弧形部分，用于存放籽晶和/或作为籽晶的滑入通道，该通道弧形部分高于熔融后的晶体原料所在的水平线；以及凹槽，与通道弧形部分相连、位于籽晶引入通道的出口处；其中，在通道弧形部分放置籽晶的位置前方设置有一阻挡物，防止籽晶自行滑落；或者该籽晶引入通道还包括一水平段，该水平段与通道弧形部分的顶部相连，在该水平段中放置籽晶，使籽晶无法自发滑落；当触发籽晶的滑落条件时，籽晶能够沿着通道弧形部分滑动至凹槽中。该装置保证了籽晶使用前的有效隔离，提高了单晶形成率。
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公开(公告)号：CN110965129A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911256028.0
申请日：2019-12-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种掺硫砷化铟体单晶片、其腐蚀方法及腐蚀剂，该腐蚀剂，包括三氧化铬、氢氟酸和水，其中，三氧化铬、氢氟酸、水的配制比例为(0.5至2)g：(2至10)mL：(0至50)mL。本发明生长条纹的腐蚀剂的原料易于得到且价格低廉，该腐蚀剂具有操作简单、操作时间短、腐蚀效果好等特点；本发明的腐蚀方法可快速、清晰地显示掺硫砷化铟单晶片中的生长条纹形貌。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108831933A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810593479.2
申请日：2018-06-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/054 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 一种背表面场GaSb热光伏电池，包括：一衬底；一背电场层，其制作在衬底的背面；一背电极，其制作在背电场层上；一有源区，其制作在衬底的上面；一前电极，其制作在有源区上面的中间，该前电极的尺寸小于有源区的尺寸。本发明通过在电池背面增加一个nn+结，与原内建电场形成高低结电场，提供空穴势垒，利用能带工程提高光生载流子的收集效率，同时由于背电极附近掺杂浓度高，势垒区宽度更小，利于电子通过隧道效应贯穿势垒，使GaSb与背电极金属形成更好的欧姆接触。从而提高电池的效率。
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公开(公告)号：CN108546986A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810358210.6
申请日：2018-04-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 本发明公开了一种籽晶保护装置及单晶生长方法。该籽晶保护装置，包括：石英舟，包含：石英舟本体，用于存放晶体原料；以及籽晶引入通道，包含：通道弧形部分，用于存放籽晶和/或作为籽晶的滑入通道，该通道弧形部分高于熔融后的晶体原料所在的水平线；以及凹槽，与通道弧形部分相连、位于籽晶引入通道的出口处；其中，在通道弧形部分放置籽晶的位置前方设置有一阻挡物，防止籽晶自行滑落；或者该籽晶引入通道还包括一水平段，该水平段与通道弧形部分的顶部相连，在该水平段中放置籽晶，使籽晶无法自发滑落；当触发籽晶的滑落条件时，籽晶能够沿着通道弧形部分滑动至凹槽中。该装置保证了籽晶使用前的有效隔离，提高了单晶形成率。
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公开(公告)号：CN100451180C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200510126238.X
申请日：2005-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及微电子和光电子用化合物半导体材料制备技术领域，特别是一种闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法。在封闭的石英管内，一端放置高纯ZnO粉作为源，另一端放置籽晶，通过控制源区与生长区的温度分布实现气相传输，生长ZnO体单晶，在生长过程中放入少量的高纯碳。选用一端为平面封口的圆形石英管作外管，再选用一根外径与籽晶片直径相同的石英管称为内管，用来顶住籽晶片，使其固定在石英管的平面端，ZnO粉放置在内管的另一端，同时放入少量的高纯碳粉，然后外管接真空系统，抽真空后用石英封泡封闭，将封好口的石英管放入水平加热炉内升温加热，控制温度分布进行ZnO单晶生长。
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公开(公告)号：CN108831933B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810593479.2
申请日：2018-06-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/054 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 一种背表面场GaSb热光伏电池，包括：一衬底；一背电场层，其制作在衬底的背面；一背电极，其制作在背电场层上；一有源区，其制作在衬底的上面；一前电极，其制作在有源区上面的中间，该前电极的尺寸小于有源区的尺寸。本发明通过在电池背面增加一个nn+结，与原内建电场形成高低结电场，提供空穴势垒，利用能带工程提高光生载流子的收集效率，同时由于背电极附近掺杂浓度高，势垒区宽度更小，利于电子通过隧道效应贯穿势垒，使GaSb与背电极金属形成更好的欧姆接触。从而提高电池的效率。
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公开(公告)号：CN101440517A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710177784.5
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及新材料技术领域，特别是一种在高温升华法生长AlN体单晶的过程中，精确动态地控制高温炉内压力的方法。本方法的具体步骤为：在升温过程中，使压力电子控制器和微压压力变送器处于关闭状态，打开质量流量计并设定一定的流量。通过调整出气端的针型阀的开度使炉内的压力基本稳定在所要求的定值。在恒温过程中，即当炉内温度升到高温并开始恒定时，打开压力电子控制器和微压压力变送器，并设定恒定压力值，同时减小流量计流量为原流量的60％～80％。这样通过质量流量计、压力电子控制器、微压压力变送器的有机组合实现在恒温过程中精确动态地控制炉内压力的目的。
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