公开(公告)号：CN114420559A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210061899.2

申请日：2022-01-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王军喜 ,  王新维 ,  张宁 ,  魏学成

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/45 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/00 ,  H01L33/36

Abstract: 本公开提供了一种p型GaN欧姆接触的制备方法，包括：在衬底上依次形成GaN成核层、非故意掺杂的GaN层、重掺杂Mg的p型GaN层后，经过一次退火处理得到第一样品；将第一样品进行激光退火处理后，进行清洗，得到第二样品；对第二样品的表面首先进行光刻形成金属图形，接着依次蒸镀第一金属层、第二金属层，然后剥离多余的第一金属层和第二金属层，得到第三样品；将第三样品进行二次退火处理，形成欧姆接触。其中，激光退火处理使得p型GaN层表面的Mg杂质形成一定的聚集，同时通过打破Mg‑H键，降低H原子浓度，增大空穴浓度，从而降低了p型GaN的接触电阻率，改善了p型GaN与金属的欧姆接触。

公开(公告)号：CN114284403B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202111625701.0

申请日：2021-12-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王军喜 ,  王新维 ,  张宁 ,  魏学成

IPC: H10H20/01 ,  H10H20/812

Abstract: 本公开提供了一种LED的制备方法，包括：在衬底上依次形成GaN成核层、非故意掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱结构、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层后，经过第一退火、第二退火处理后，得到第二样品；光刻第二样品的表面后，刻蚀至n型GaN层形成台面，得到第三样品；光刻第三样品的PN电极后，蒸镀第一金属层和第二金属层，剥离多余的金属层后进行第三退火处理，得到第四样品，在第四样品的表面蒸镀SiO2层后，光刻SiO2层，得到LED外延片。本公开通过激光退火处理技术，增大LED结构中的p型GaN层的空穴浓度，提高空穴的注入效率，导致量子阱结构中电子空穴对的辐射复合增大，从而提高LED的光输出功率。

公开(公告)号：CN114284403A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111625701.0

申请日：2021-12-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王军喜 ,  王新维 ,  张宁 ,  魏学成

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06

Abstract: 本公开提供了一种LED的制备方法，包括：在衬底上依次形成GaN成核层、非故意掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱结构、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层后，经过第一退火、第二退火处理后，得到第二样品；光刻第二样品的表面后，刻蚀至n型GaN层形成台面，得到第三样品；光刻第三样品的PN电极后，蒸镀第一金属层和第二金属层，剥离多余的金属层后进行第三退火处理，得到第四样品，在第四样品的表面蒸镀SiO2层后，光刻SiO2层，得到LED外延片。本公开通过激光退火处理技术，增大LED结构中的p型GaN层的空穴浓度，提高空穴的注入效率，导致量子阱结构中电子空穴对的辐射复合增大，从而提高LED的光输出功率。