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发明公开
甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法无效

公开(公告)号：CN102544229A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210036863.5

申请日：2012-02-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 卫炀 , 马文全 , 张艳华 , 曹玉莲

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种制备甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的方法，该方法是在半绝缘GaSb衬底上依次生长P型掺杂的GaSb缓冲层、P型掺杂的中波InAs/GaSb二类超晶格层、非掺杂的甚长波InAs/GaSb二类超晶格层、N型掺杂的中波InAs/GaSb二类超晶格层以及N型掺杂的InAs上接触层，得到甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料。利用本发明，由于在界面设计中增加了精心设计的“Sb-soak”和“生长中断”，所以超晶格材料质量进一步得到提高。

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