公开(公告)号：CN103219291B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310157698.3

申请日：2013-05-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 崔凯 ,  马文全 ,  张艳华

IPC: H01L21/8252

Abstract: 本发明公开了一种制备基于量子点的空穴型存储器的方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层和第一p掺杂层；在第一p掺杂层上生长p+掺杂势垒层和非掺杂势垒层，形成二维空穴气；在二维空穴气上依次生长第一非掺杂空间层、具有II类异质结构的量子点层和第二非掺杂空间层；在第二非掺杂空间层上生长第二p掺杂层；在第二p掺杂层上生长n+掺杂层；通过工艺技术制造数据擦写端口和数据读取端口，形成空穴型量子点存储器。利用本发明，实现的存储器作为一种新型的存储器概念，具有寿命长、读写速度快、存储时间长等优势，在下一代非挥发高性能存储器的研制中具有很大潜力，有望取代目前广泛使用的动态随机存储器(DRAM)和FLASH存储器。

公开(公告)号：CN103225109A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310157823.0

申请日：2013-05-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 崔凯 ,  马文全 ,  张艳华

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种II型III-V族量子点材料的生长方法，包括：在衬底上生长缓冲层；降温到量子点的生长温度，向生长有缓冲层的衬底喷射第一种V族元素，使生长有缓冲层的衬底周围充满该第一种V族元素；将喷射的元素切换为第二种V族元素，使生长有缓冲层的衬底周围充满该第二种V族元素；淀积II型III-V族量子点材料；向生长有缓冲层及II型量子点材料的衬底喷射第二种V族元素，使生长有缓冲层及II型量子点材料的衬底周围充满该第二种V族元素；降温到中间温度，同时向生长有缓冲层及II型量子点材料的衬底喷射第二种V族元素；关闭喷射第二种V族元素，降温到室温。利用本发明，有效控制了V族元素之间的互混反应，提高了量子点形貌和光学质量。

公开(公告)号：CN103219291A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310157698.3

申请日：2013-05-02

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 崔凯 ,  马文全 ,  张艳华

IPC: H01L21/8252

Abstract: 本发明公开了一种制备基于量子点的空穴型存储器的方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层和第一p掺杂层；在第一p掺杂层上生长p+掺杂势垒层和非掺杂势垒层，形成二维空穴气；在二维空穴气上依次生长第一非掺杂空间层、具有II类异质结构的量子点层和第二非掺杂空间层；在第二非掺杂空间层上生长第二p掺杂层；在第二p掺杂层上生长n+掺杂层；通过工艺技术制造数据擦写端口和数据读取端口，形成空穴型量子点存储器。利用本发明，实现的存储器作为一种新型的存储器概念，具有寿命长、读写速度快、存储时间长等优势，在下一代非挥发高性能存储器的研制中具有很大潜力，有望取代目前广泛使用的动态随机存储器(DRAM)和FLASH存储器。