公开(公告)号：CN103954819B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410121021.9

申请日：2014-03-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李琼 ,  马文全 ,  张艳华 ,  黄建亮

IPC: G01R19/00

Abstract: 本发明公开了一种近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法，该方法通过在近零偏时测量出器件表面暗电流在总暗电流中所占组分比值从而根据公式得到表面暗电流的大小，其中，p为器件台面的截面周长，S为器件的台面面积，a为直线的斜率，b为直线的截距，I为所测得不同尺寸器件的I?V特性中在趋近于零的负偏压下所对应的器件总暗电流大小。

公开(公告)号：CN103954819A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410121021.9

申请日：2014-03-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李琼 ,  马文全 ,  张艳华 ,  黄建亮

IPC: G01R19/00

Abstract: 本发明公开了一种近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法，该方法通过在近零偏时测量出器件表面暗电流在总暗电流中所占组分比值从而根据公式得到表面暗电流的大小，其中，p为器件台面的截面周长，S为器件的台面面积，a为直线的斜率，b为直线的截距，I为所测得不同尺寸器件的I-V特性中在趋近于零的负偏压下所对应的器件总暗电流大小。