公开(公告)号：CN116659671A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202210159385.0

申请日：2022-02-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 吴静 ,  陈涌海 ,  曾晓琳 ,  赵成城 ,  黄建亮 ,  张艳华 ,  马文全

IPC: G01J4/04

Abstract: 本公开提供了一种圆偏振光探测方法，应用于光探测技术领域，包括：获取不同外加偏压下探测器探测到的左圆偏振光电流和右圆偏振光电流，计算在每个该外加偏压下该左圆偏振光电流和该右圆偏振光电流的平均值，基于每个该外加偏压下的该左圆偏振光电流和该右圆偏振光电流的平均值，确定该平均值等于零时该探测器所需施加的目标外加偏压；给该探测器施加该目标外加偏压，利用施加该目标外加偏压后的探测器探测圆偏振光。本申请还公开了一种圆偏振光探测装置、电子设备及存储介质。

公开(公告)号：CN110311000B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201910648930.0

申请日：2019-07-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵成城 ,  马文全 ,  黄建亮 ,  张艳华

IPC: H01L31/0248 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本公开提供一种二类超晶格雪崩光电探测器及其制备方法，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；N型欧姆接触层，位于所述缓冲层上，为N型InAs/GaSb超晶格；雪崩倍增层，覆于部分所述欧姆接触层之上，未被覆盖的欧姆接触层形成一台面；光吸收层，位于所述雪崩倍增层上，为InAs/GaSb超晶格，用于探测红外光；P型欧姆接触层，位于所述光吸收层上；钝化层，覆于所述台面的部分上表面并开设有第一电极窗口，同时覆盖所述P型欧姆接触层上表面边缘处，并开设有第二电极窗口；以及还覆于所述雪崩倍增层、光吸收层、P型欧姆接触层的侧面；P电极，位于所述第二电极窗口内，居中裸露P型欧姆接触层区域作为通光孔；以及N电极，位于所述台面上的第一电极窗口内。

公开(公告)号：CN110311000A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910648930.0

申请日：2019-07-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵成城 ,  马文全 ,  黄建亮 ,  张艳华

IPC: H01L31/0248 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本公开提供一种二类超晶格雪崩光电探测器及其制备方法，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；N型欧姆接触层，位于所述缓冲层上，为N型InAs/GaSb超晶格；雪崩倍增层，覆于部分所述欧姆接触层之上，未被覆盖的欧姆接触层形成一台面；光吸收层，位于所述雪崩倍增层上，为InAs/GaSb超晶格，用于探测红外光；P型欧姆接触层，位于所述光吸收层上；钝化层，覆于所述台面的部分上表面并开设有第一电极窗口，同时覆盖所述P型欧姆接触层上表面边缘处，并开设有第二电极窗口；以及还覆于所述雪崩倍增层、光吸收层、P型欧姆接触层的侧面；P电极，位于所述第二电极窗口内，居中裸露P型欧姆接触层区域作为通光孔；以及N电极，位于所述台面上的第一电极窗口内。