公开(公告)号：CN106531884A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201611213900.X

申请日：2016-12-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王开友 ,  杨美音 ,  蔡凯明

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提出一种电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件。其中，存储单元包括：铁电层，可在其上施加正向或负向的第一电压，以控制磁化的定向翻转；位于铁电层之上的自旋轨道耦合层，可在该层上施加第二电压，产生垂直于该层方向的自旋流，位于自旋轨道耦合层之上的第一磁性层，所述自旋流可诱导该第一磁性层的磁性随机上下翻转。联合铁电层施加的第一电压，所述自旋流可以诱导第一磁层反生定向翻转。本发明通过对铁电层两端施加电压产生铁电极化，产生非均匀自旋轨道耦合效应，可调制电流诱导磁性薄膜磁性翻转的方向。

公开(公告)号：CN106531884B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201611213900.X

申请日：2016-12-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王开友 ,  杨美音 ,  蔡凯明

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  G11C11/15

Abstract: 本发明提出一种电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件。其中，存储单元包括：铁电层，可在其上施加正向或负向的第一电压，以控制磁化的定向翻转；位于铁电层之上的自旋轨道耦合层，可在该层上施加第二电压，导致自旋轨道耦合层产生自旋流。位于自旋轨道耦合层之上的第一磁性层，所述自旋流可诱导该第一磁性层的磁性随机上下翻转。联合铁电层施加的第一电压，所述自旋流可以诱导第一磁层发生定向翻转。本发明通过对铁电层两端施加电压产生铁电极化，产生非均匀自旋轨道耦合效应，可调制电流诱导磁性薄膜磁性翻转的方向。