公开(公告)号：CN110867514B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201911124047.8

申请日：2019-11-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王开友 ,  朱文凯 ,  胡策

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02

Abstract: 本公开的示例性实施例提供了一种自旋阀和包括所述自旋阀的自旋电子器件。所述自旋阀可以包括依次堆叠的两个或多个磁性层，其中所述自旋阀还包括：至少一对非磁性半导体层，设置在所述两个或多个磁性层中的任意两个相邻磁性层之间，其中所述至少一对非磁性半导体层之间形成有内建电场。

公开(公告)号：CN110828657A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911124046.3

申请日：2019-11-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王开友 ,  胡策

IPC: H01L43/08

Abstract: 本公开的示例性实施例提供了一种自旋阀和包括所述自旋阀的自旋电子器件。所述自旋阀可以包括依次堆叠的两个或多个磁性层，其中，所述两个或多个磁性层中的任意两个相邻磁性层具有不同的矫顽力，且所述任意两个相邻磁性层中的至少一个磁性层是范德瓦尔斯磁性层，其中，所述范德瓦尔斯磁性层是指由范德瓦尔斯磁性材料形成的磁性层。

公开(公告)号：CN111276536A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN202010083615.0

申请日：2020-02-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王开友 ,  邓永城 ,  朱文凯 ,  胡策 ,  闫法光

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种自旋场效应晶体管，所述晶体管包括：绝缘衬底；依次设置在所述绝缘衬底上的第一半导体层和第二半导体层；分别设置在所述第二半导体层上两端的源电极和漏电极；设置在所述源电极和漏电极之间以及覆盖在所述源电极和漏电极上的介电层，以及，设置在所述源电极和漏电极之间的介电层上的栅极；其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层的导电类型或载流子浓度不同。本发明在第一半导体层和第二半导体层之间形成pn结或内建电场，提高自旋载流子注入的效率。

公开(公告)号：CN110867514A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201911124047.8

申请日：2019-11-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王开友 ,  朱文凯 ,  胡策

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02

Abstract: 本公开的示例性实施例提供了一种自旋阀和包括所述自旋阀的自旋电子器件。所述自旋阀可以包括依次堆叠的两个或多个磁性层，其中所述自旋阀还包括：至少一对非磁性半导体层，设置在所述两个或多个磁性层中的任意两个相邻磁性层之间，其中所述至少一对非磁性半导体层之间形成有内建电场。

公开(公告)号：CN111276536B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202010083615.0

申请日：2020-02-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王开友 ,  邓永城 ,  朱文凯 ,  胡策 ,  闫法光

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种自旋场效应晶体管，所述晶体管包括：绝缘衬底；依次设置在所述绝缘衬底上的第一半导体层和第二半导体层；分别设置在所述第二半导体层上两端的源电极和漏电极；设置在所述源电极和漏电极之间以及覆盖在所述源电极和漏电极上的介电层，以及，设置在所述源电极和漏电极之间的介电层上的栅极；其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层的导电类型或载流子浓度不同。本发明在第一半导体层和第二半导体层之间形成pn结或内建电场，提高自旋载流子注入的效率。