公开(公告)号：CN113764153B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202111040979.1

申请日：2021-09-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王开友 ,  曹易 ,  张晓敏

IPC: H01F10/32 ,  H01F41/14 ,  G11C11/15

Abstract: 本发明公开了一种多层磁性薄膜器件及其制备方法、磁存储器，其中，上述多层磁性薄膜器件包括从下至上依次设置的如下结构：衬底、第一磁性层、非磁层、第二磁性层；上述第一磁性层的居里温度高于上述第二磁性层；上述非磁层用于实现上述第一磁性层与上述第二磁性层之间的层间交换磁耦合。

公开(公告)号：CN113764153A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202111040979.1

申请日：2021-09-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王开友 ,  曹易 ,  张晓敏

IPC: H01F10/32 ,  H01F41/14 ,  G11C11/15

Abstract: 本发明公开了一种多层磁性薄膜器件及其制备方法、磁存储器，其中，上述多层磁性薄膜器件包括从下至上依次设置的如下结构：衬底、第一磁性层、非磁层、第二磁性层；上述第一磁性层的居里温度高于上述第二磁性层；上述非磁层用于实现上述第一磁性层与上述第二磁性层之间的层间交换磁耦合。