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公开(公告)号：CN106531884B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201611213900.X
申请日：2016-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出一种电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件。其中，存储单元包括：铁电层，可在其上施加正向或负向的第一电压，以控制磁化的定向翻转；位于铁电层之上的自旋轨道耦合层，可在该层上施加第二电压，导致自旋轨道耦合层产生自旋流。位于自旋轨道耦合层之上的第一磁性层，所述自旋流可诱导该第一磁性层的磁性随机上下翻转。联合铁电层施加的第一电压，所述自旋流可以诱导第一磁层发生定向翻转。本发明通过对铁电层两端施加电压产生铁电极化，产生非均匀自旋轨道耦合效应，可调制电流诱导磁性薄膜磁性翻转的方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105932153B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610412360.1
申请日：2016-06-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L43/06
Abstract: 本发明提出一种室温下压电调控的磁性反常霍尔晶体管及其构成的逻辑器件。晶体管具有复合多层膜结构：压电层/磁性薄膜/保护层，或者导电层/压电层/磁性薄膜/保护层。本发明通过对压电薄膜两端施加电压产生形变，该形变转移到上层的磁性薄膜中。本发明利用压电实现室温零磁场下磁化的翻转。本发明具有低功耗、响应时间短、集成度高和在室温下工作的优点。
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公开(公告)号：CN105932153A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610412360.1
申请日：2016-06-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L43/06
CPC classification number: H01L43/06
Abstract: 本发明提出一种室温下压电调控的磁性反常霍尔晶体管及其构成的逻辑器件。晶体管具有复合多层膜结构：压电层/磁性薄膜/保护层，或者导电层/压电层/磁性薄膜/保护层。本发明通过对压电薄膜两端施加电压产生形变，该形变转移到上层的磁性薄膜中。本发明利用压电实现室温零磁场下磁化的翻转。本发明具有低功耗、响应时间短、集成度高和在室温下工作的优点。
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公开(公告)号：CN110010637B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910292848.9
申请日：2019-04-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器，该存取器包括：一楔形自旋轨道耦合层；一磁阻隧道结，位于所述楔形自旋轨道耦合层上，包括由下至上依次层叠的第一磁性层、隧穿层和第二磁性层，所述第一磁性层和所述第二磁性层具有垂直各向异性。本发明提供的自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制备方法，将磁阻隧道结设置于楔形的自旋轨道耦合层上，当在自旋轨道耦合层中通入电流源时，会在自旋轨道耦合层中产生自旋流和自旋流密度梯度，自旋流密度梯度引起一个自旋矩，导致磁矩在电流的作用下定向翻转，翻转的方向可以通过自旋电流源的方向控制，实现自旋轨道矩磁阻式随机存储器中磁矩的定向翻转。
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公开(公告)号：CN110010637A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910292848.9
申请日：2019-04-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器，该存取器包括：一楔形自旋轨道耦合层；一磁阻隧道结，位于所述楔形自旋轨道耦合层上，包括由下至上依次层叠的第一磁性层、隧穿层和第二磁性层，所述第一磁性层和所述第二磁性层具有垂直各向异性。本发明提供的自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制备方法，将磁阻隧道结设置于楔形的自旋轨道耦合层上，当在自旋轨道耦合层中通入电流源时，会在自旋轨道耦合层中产生自旋流和自旋流密度梯度，自旋流密度梯度引起一个自旋矩，导致磁矩在电流的作用下定向翻转，翻转的方向可以通过自旋电流源的方向控制，实现自旋轨道矩磁阻式随机存储器中磁矩的定向翻转。
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公开(公告)号：CN106531884A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611213900.X
申请日：2016-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出一种电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件。其中，存储单元包括：铁电层，可在其上施加正向或负向的第一电压，以控制磁化的定向翻转；位于铁电层之上的自旋轨道耦合层，可在该层上施加第二电压，产生垂直于该层方向的自旋流，位于自旋轨道耦合层之上的第一磁性层，所述自旋流可诱导该第一磁性层的磁性随机上下翻转。联合铁电层施加的第一电压，所述自旋流可以诱导第一磁层反生定向翻转。本发明通过对铁电层两端施加电压产生铁电极化，产生非均匀自旋轨道耦合效应，可调制电流诱导磁性薄膜磁性翻转的方向。
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