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公开(公告)号：CN102627972A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210079731.0
申请日：2012-03-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C09K13/00
Abstract: 本发明一种GaAs半导体材料刻蚀液的配方，包括：柠檬酸、过氧化氢和去离子水；其是先将柠檬酸和去离子水按预定比例混合，再加入过氧化氢搅拌均匀。其中该刻蚀液是先将1g的柠檬酸晶体兑入1ml的去离子水中，搅拌均匀，再加入浓度为30％的过氧化氢，柠檬酸晶体与去离子水之和与过氧化氢的体积比为66∶1。使用的本发明柠檬酸配方中，对GaAs材料的刻蚀速率控制在2.0nm/s-2.8nm/s。
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