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公开(公告)号：CN113192547B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110477473.0
申请日：2021-04-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种自旋轨道矩器件的操作方法，其中，自旋轨道矩器件包括设置于表面的图形化电极，图形化电极包括至少一个输入端和至少一个接地端，操作方法包括：对图形化电极的每个输入端施加电压脉冲，以调节图形化电极的电流密度梯度，电流密度梯度用于确定自旋轨道矩器件的磁化翻转概率。此外，本公开还提供了一种自旋轨道矩器件及其操作装置。
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公开(公告)号：CN111697130B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202010583152.4
申请日：2020-06-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元和逻辑器件；其中，具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元包括：磁性自由层，所述磁性自由层包括：垂直磁化的铁磁性区域和功能性区域；其中，所述铁磁性区域和功能性区域形成水平不对称结构；当电流流经磁性自由层，功能性区域及功能性区域与铁磁性区域的界面处产生作用于铁磁性区域的一自旋轨道矩，使铁磁性区域发生定向翻转。本发明可以实现无外磁场下的磁矩定向翻转，可以简化器件结构和工艺难度，降低器件制造成本，降低能耗，实现器件的小型化、提高器件的集成度。
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公开(公告)号：CN113192547A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110477473.0
申请日：2021-04-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种自旋轨道矩器件的操作方法，其中，自旋轨道矩器件包括设置于表面的图形化电极，图形化电极包括至少一个输入端和至少一个接地端，操作方法包括：对图形化电极的每个输入端施加电压脉冲，以调节图形化电极的电流密度梯度，电流密度梯度用于确定自旋轨道矩器件的磁化翻转概率。此外，本公开还提供了一种自旋轨道矩器件及其操作装置。
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公开(公告)号：CN111697130A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010583152.4
申请日：2020-06-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元和逻辑器件；其中，具有水平不对称结构磁性自由层的磁存储单元包括：磁性自由层，所述磁性自由层包括：垂直磁化的铁磁性区域和功能性区域；其中，所述铁磁性区域和功能性区域形成水平不对称结构；当电流流经磁性自由层，功能性区域及功能性区域与铁磁性区域的界面处产生作用于铁磁性区域的一自旋轨道矩，使铁磁性区域发生定向翻转。本发明可以实现无外磁场下的磁矩定向翻转，可以简化器件结构和工艺难度，降低器件制造成本，降低能耗，实现器件的小型化、提高器件的集成度。
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