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公开(公告)号：CN112652706A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910971139.3
申请日：2019-10-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种无需外部磁场的自旋轨道矩存储单元，所述无需外部磁场辅助的自旋轨道矩。存储单元包括自旋轨道矩磁隧道结结构，该自旋轨道矩磁隧道结结构包括反铁磁绝缘层、位于所述反铁磁绝缘层上的重金属层、位于所述重金属层上的自由层、位于所述自由层上的隧道势垒层及位于所述隧道势垒层上的参考层、及位于所述参考层上的顶电极；其中，通过在所述重金属层中施加电流以产生自旋流。通过所述反铁磁绝缘层对所述自由层与所述重金属层之间的DMI进行调节，使得磁性层在无外磁场下，实现由自旋轨道矩诱导的磁矩定向翻转，从而实现自由层的无外磁场辅助的磁矩翻转。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113553028B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202110821974.6
申请日：2021-07-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于概率比特电路的问题求解优化方法及系统。其中，该方法包括：对目标求解问题进行建模转换以获取对应的哈密顿量关系；根据哈密顿量关系，获取概率比特电路的列哈密顿量；以及基于对概率比特电路的行翻转操作，对列哈密顿量进行并行退火迭代处理，以获得更新概率比特组态，实现问题求解优化。因此，相对于现有技术中传统数字计算机的问题求解，本公开实施例的方法通过基于概率比特电路的翻转操作，实现并行概率退火处理的大规模运行，从而实现对问题求解过程的优化，使得问题求解更为精确、快速且问题求解的适用范围更广。
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公开(公告)号：CN112652706B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201910971139.3
申请日：2019-10-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种无需外部磁场的自旋轨道矩存储单元，所述无需外部磁场辅助的自旋轨道矩。存储单元包括自旋轨道矩磁隧道结结构，该自旋轨道矩磁隧道结结构包括反铁磁绝缘层、位于所述反铁磁绝缘层上的重金属层、位于所述重金属层上的自由层、位于所述自由层上的隧道势垒层及位于所述隧道势垒层上的参考层、及位于所述参考层上的顶电极；其中，通过在所述重金属层中施加电流以产生自旋流。通过所述反铁磁绝缘层对所述自由层与所述重金属层之间的DMI进行调节，使得磁性层在无外磁场下，实现由自旋轨道矩诱导的磁矩定向翻转，从而实现自由层的无外磁场辅助的磁矩翻转。
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公开(公告)号：CN113553028A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110821974.6
申请日：2021-07-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于概率比特电路的问题求解优化方法及系统。其中，该方法包括：对目标求解问题进行建模转换以获取对应的哈密顿量关系；根据哈密顿量关系，获取概率比特电路的列哈密顿量；以及基于对概率比特电路的行翻转操作，对列哈密顿量进行并行退火迭代处理，以获得更新概率比特组态，实现问题求解优化。因此，相对于现有技术中传统数字计算机的问题求解，本公开实施例的方法通过基于概率比特电路的翻转操作，实现并行概率退火处理的大规模运行，从而实现对问题求解过程的优化，使得问题求解更为精确、快速且问题求解的适用范围更广。
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公开(公告)号：CN110635024A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201911034542.X
申请日：2019-10-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于竞争自旋流控制磁随机存储器及其制备方法，通过对自旋轨道耦合层施加脉冲电压，由竞争自旋流产生的自旋轨道矩效应，控制磁隧道结中磁自由层磁矩产生180°翻转，实现信息的写入；通过测量磁隧道结两端电压的变化，得到隧穿电阻的变化，实现信息的读取。
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公开(公告)号：CN109994599A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711498335.0
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种压电式磁性随机存储器及其制备方法，通过对压电层两端施加电压使压电薄膜产生形变，该形变转移到磁自由层中，控制磁隧道结中磁自由层磁矩发生90°或接近90°翻转，包括垂直隧道结中磁自由层的磁矩从垂直于层表面转向面内方向(Vertical to Parallel，V‑P型)，或磁自由层的磁矩在面内发生90°或接近90°翻转(Parallel to Parallel，P‑P型)，通过测试磁隧道结两端电压的变化，得到隧穿电阻的变化，进而实现信息的写入。本公开不再使用高密度电流实现磁自由层磁化翻转传统方式，有效降低能耗，热效应得到有效控制，进而延长器件的工作寿命。
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