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发明公开
氮化镓基激光器审中-实审

公开(公告)号：CN116565689A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202210103748.9

申请日：2022-01-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄渝婕 , 赵德刚 , 杨静 , 梁锋 , 陈平 , 刘宗顺

IPC: H01S5/20 , H01S5/343

Abstract: 本公开提供一种氮化镓基激光器，包括：N型电极(1)，所述N型电极(1)上形成有依次叠设的衬底(2)、缓冲层(3)、N型铝镓氮下限制层(4)、N型铝镓氮下波导层(5)、有源区(6)、P型铝镓氮上波导层(7)、P型电子阻挡层(8)、P型铝镓氮上限制层(9)、P型欧姆接触层(10)和P型电极(11)；其中，所述P型铝镓氮上限制层(9)为渐变掺杂，沿所述P型电子阻挡层(8)指向所述P型欧姆接触层(10)方向，渐变掺杂的浓度逐渐增大。氮化镓基激光器的阈值电流和输出功率得到明显改善，电光转换效率高。

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