公开(公告)号：CN114566425A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210189940.4

申请日：2022-02-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张臻琢 ,  赵德刚 ,  杨静 ,  梁锋 ,  陈平 ,  刘宗顺

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/52

Abstract: 本公开提供一种Si基GaN及其生长方法，方法包括：在基础层(1)上生长混合梯度AlGaN层(2)；在混合梯度AlGaN层(2)上生长GaN层(3)；其中，混合梯度AlGaN层(2)中，靠近GaN层(3)一侧的Al含量小于靠近基础层(1)一侧的Al含量，以及靠近GaN层(3)一侧的维度数小于靠近基础层(1)一侧的维度数。本公开的方法降低了后续AlGaN应力调制层和GaN外延层中的穿透位错密度，提高了GaN的晶体质量。

公开(公告)号：CN116072736A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310100927.1

申请日：2023-01-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨倩 ,  杨静 ,  赵德刚 ,  张臻琢

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201

Abstract: 本发明公开了一种消除纳米管缺陷的肖特基二极管及其制备方法，包括由下至上设置的第一掺杂硅N型层和第二掺杂硅N型层，其特征在于，还包括：AlGaN插入层，设置于第一掺杂硅N型层与第二掺杂硅N型层之间，用于消除氮化镓中纳米管缺陷。本发明提供的肖特基二极管利用铝原子的迁移率较低的特点，在材料生长过程中加入一层铝镓氮可以使铝原子在纳米管的空心附近成核，从而阻止了纳米管继续向上延伸，实现消除纳米管缺陷的目的，进而降低了肖特基二极管的漏电流。

公开(公告)号：CN115274405A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210884713.3

申请日：2022-07-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张臻琢 ,  赵德刚 ,  杨静 ,  梁锋 ,  陈平 ,  刘宗顺

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/40 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明公开了一种硅基氮化镓外延层的生长方法及氮化镓外延片，硅基氮化镓外延层的生长方法包括：将硅基衬底放入反应室中；在硅基衬底上生长氮化铝缓冲层；在氮化铝缓冲层上生长氮化镓铝缓冲层；在氮化镓铝缓冲层上生长氮化镓铟插入层；在氮化镓铟插入层上生长氮化镓外延层；其中，生长氮化镓铟插入层的温度低于生长氮化镓铝缓冲层和氮化镓外延层的温度。在氮化镓铝缓冲层上降温生长一层氮化镓铟插入层，降温过程中氮化铝缓冲层和氮化镓铝缓冲层中出现裂纹，释放缓冲层中的部分应力，同时氮化镓铟插入层的生长能够覆盖裂纹，随后升温生长氮化镓外延层，能够使氮化镓外延层生长时受到更大更久的压应力。