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公开(公告)号：CN120051058A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510183443.7
申请日：2025-02-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H10F77/20 , H10F30/227 , H10F30/222 , H10F71/00 , C23C16/18 , C23C16/34
Abstract: 本发明提供了一种氮化铝真空探测器，可应用于半导体及光电子材料技术领域，该真空探测器包括：蓝宝石衬底；氮化铝外延层，氮化铝外延层位于衬底上，其中，氮化铝外延层的局部区域包含硅原子，包含硅原子的区域在氮化铝外延层表面的投影不完全覆盖其表面；第一电极，位于氮化铝外延层包含硅原子的区域表面；以及第二电极，位于氮化铝外延层不包含硅原子的区域表面。通过在氮化铝外延层中局部注入高浓度硅杂质，使得氮化铝外延层与第一电极形成良好的欧姆接触，而第二电极与氮化铝外延层形成肖特基接触，构建出相对MSM结构探测器响应更快且无需加较高偏压的肖特基结探测器。
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公开(公告)号：CN113991429A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111372787.0
申请日：2021-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种提高空穴注入的氮化镓基激光器，包括P型电极和N型电极，还包括：第一限制层，设置于所述P型电极和所述N型电极之间，用于限制光场；多量子阱，设置于所述第一限制层与所述N型电极之间，用于使电子和空穴在此处发生辐射复合发光；空穴存储层，设置于所述第一限制层与所述多量子阱之间，用于作为空穴发射器，为多量子阱提供更多空穴，并改善空穴从P型电极向多量子阱的注入效率。本发明设置空穴存储层不仅能作为空穴发射器为量子阱提供空穴，还缩短了部分空穴向量子阱传输的距离，通过调控能带，降低了电子阻挡层处的空穴有效势垒高度，更多的空穴注入到量子阱中，提高了量子阱发光的均匀性，改善了氮化镓基激光器的光电特性。
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公开(公告)号：CN111490453B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202010337090.9
申请日：2020-04-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种含有分步掺杂下波导层的GaN基激光器及其制备方法，所述含有分步掺杂下波导层的GaN基激光器由下至上依次包括：N型电极、衬底、下限制层、分步掺杂下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层和P型电极；其中，所述分步掺杂下波导层由下至上依次包括GaN下波导层和多层InGaN下波导层。本发明通过采用分步掺杂下波导层代替高掺杂的下波导层，抑制载流子的泄露，提高GaN基激光器的光电特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113422293A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110688710.8
申请日：2021-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有阶梯状上波导的InGaN/GaN量子阱激光器，包括：下波导层；多量子阱层，形成于所述下波导层上；以及阶梯状上波导层，形成于所述多量子阱层上；其中，所述阶梯状上波导层包括：InxGa1‑xN层和InyGal‑yN层；InxGa1‑xN层，形成于所述多量子阱层上，InyGal‑yN层，形成于所述InxGal‑xN层上；x、y分别满足：0.01≤x≤0.1，0≤y≤0.015，并且x≠y。本发明通过调控具有阶梯状上波导的InGaN/GaN量子阱激光器的能带可有效的增加激光器的空穴注入效率，同时降低了光学损耗，从而改善了InGaN/GaN量子阱激光器的斜率效率和功率转换效率。
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公开(公告)号：CN120051057A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510183354.2
申请日：2025-02-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H10F77/20 , H10F30/227 , H10F30/222 , H10F71/00 , C23C16/18 , C23C16/34
Abstract: 本发明提供了一种基于异质结的氮化铝真空探测器，可应用于半导体及光电子材料技术领域，该真空探测器包括：依次设置的蓝宝石衬底、氮化铝外延层、n型氮化铝镓层、氮化铝层；还包括，第一电极，位于氮化铝层远离蓝宝石衬底的一侧；第二电极，位于n型氮化铝镓层远离蓝宝石衬底的一侧；以及绝缘层，位于n型氮化铝镓层远离蓝宝石衬底的一侧，且位于氮化铝层与第二电极之间，其中，氮化铝层与n型氮化铝镓层之间形成异质结。通过设置高掺杂浓度的n型氮化铝镓层和未掺杂的氮化铝层，使得耗尽区主要分布在氮化铝层中，使得氮化铝层中有较高的电场强度，利于载流子的分离和运输。
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公开(公告)号：CN113422293B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110688710.8
申请日：2021-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有阶梯状上波导的InGaN/GaN量子阱激光器，包括：下波导层；多量子阱层，形成于所述下波导层上；以及阶梯状上波导层，形成于所述多量子阱层上；其中，所述阶梯状上波导层包括：InxGa1‑xN层和InyGal‑yN层；InxGa1‑xN层，形成于所述多量子阱层上，InyGal‑yN层，形成于所述InxGal‑xN层上；x、y分别满足：0.01≤x≤0.1，0≤y≤0.015，并且x≠y。本发明通过调控具有阶梯状上波导的InGaN/GaN量子阱激光器的能带可有效的增加激光器的空穴注入效率，同时降低了光学损耗，从而改善了InGaN/GaN量子阱激光器的斜率效率和功率转换效率。
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公开(公告)号：CN111490453A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010337090.9
申请日：2020-04-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种含有分步掺杂下波导层的GaN基激光器及其制备方法，所述含有分步掺杂下波导层的GaN基激光器由下至上依次包括：N型电极、衬底、下限制层、分步掺杂下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层和P型电极；其中，所述分步掺杂下波导层由下至上依次包括GaN下波导层和多层InGaN下波导层。本发明通过采用分步掺杂下波导层代替高掺杂的下波导层，抑制载流子的泄露，提高GaN基激光器的光电特性。
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公开(公告)号：CN216794241U
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202122839916.4
申请日：2021-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种提高空穴注入的氮化镓基激光器，包括P型电极和N型电极，还包括：第一限制层，设置于所述P型电极和所述N型电极之间，用于限制光场；多量子阱，设置于所述第一限制层与所述N型电极之间，用于使电子和空穴在此处发生辐射复合发光；空穴存储层，设置于所述第一限制层与所述多量子阱之间，用于作为空穴发射器，为多量子阱提供更多空穴，并改善空穴从P型电极向多量子阱的注入效率。本实用新型设置空穴存储层不仅能作为空穴发射器为量子阱提供空穴，还缩短了部分空穴向量子阱传输的距离，通过调控能带，降低了电子阻挡层处的空穴有效势垒高度，更多的空穴注入到量子阱中，提高了量子阱发光的均匀性，改善了氮化镓基激光器的光电特性。
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