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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1207827C
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN02124387.5
申请日：2002-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种多量子阱波导对接耦合方法，包括如下步骤：(1)在衬底上外延生长元器件A的多量子阱结构；(2)淀积一层介质膜后，掩膜光刻，腐蚀掉A台条以外的多量子阱结构；(3)再次外延元器件B的多量子阱结构；(4)掩膜光刻去掉A和B界面处生长质量不好的部分；(5)最后大面积外延优化设计的体材料，同时作为元器件A和B的上波导，以及它们之间的耦合波导。该方法可以消除直接对接出现的空洞和多量子阱弯曲现象，降低耦合损耗，提高出光功率，可应用于多种光电子集成器件的制作。
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公开(公告)号：CN1464603A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN02124387.5
申请日：2002-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种多量子阱波导对接耦合方法，包括如下步骤：(1)在衬底上外延生长元器件A的多量子阱结构；(2)淀积一层介质膜后，掩膜光刻，腐蚀掉A台条以外的多量子阱结构；(3)再次外延元器件B的多量子阱结构；(4)掩膜光刻去掉A和B界面处生长质量不好的部分；(5)最后大面积外延优化设计的体材料，同时作为元器件A和B的上波导，以及它们之间的耦合波导。该方法可以消除直接对接出现的空洞和多量子阱弯曲现象，降低耦合损耗，提高出光功率，可应用于多种光电子集成器件的制作。
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公开(公告)号：CN1258843C
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN03109215.2
申请日：2003-04-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高速率电吸收调制器的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)采用铟镓砷磷应变多量子阱结构作为调制器的吸收有源区；(2)采用干法刻蚀和湿法刻蚀相结合的三步工艺同时腐蚀出脊波导结构和压焊电极沟；(3)通过区域选择湿法腐蚀方法刻蚀压焊电极深沟；(4)采用氦离注入压焊电极深沟的技术来增加高电阻层厚度；(5)压焊电极沟填埋厚层聚酰亚胺作为电极垫层；(6)通过两步曝光、显影技术和控制显影时间的方法制作自对准的脊波导电极条。
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公开(公告)号：CN1630149A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200310122343.7
申请日：2003-12-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 本发明一种电吸收调制分布反馈半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：1)在InP衬底上同一次外延中先后生长InP缓冲层、下波导层、量子阱A、InP刻蚀阻止层和多量子阱B；2)采用化学湿法选择腐蚀去掉调制器区的多量子阱B，留下多量子阱A；3)全面积在激光器区和调制器区外延生长上波导层和InP盖层；4)采用全息曝光发有选择地在激光器区制作光栅，然后全面积外延生长光栅掩盖层、1.2Q刻蚀阻止层、p型InP光限制层以及电接触层。
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公开(公告)号：CN1536722A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN03109215.2
申请日：2003-04-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 一种高速率电吸收调制器的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)采用铟镓砷磷应变多量子阱结构作为调制器的吸收有源区；(2)采用干法刻蚀和湿法刻蚀相结合的三步工艺同时腐蚀出脊波导结构和压焊电极沟；(3)通过区域选择湿法腐蚀方法刻蚀压焊电极深沟；(4)采用氦离注入压焊电极深沟的技术来增加高电阻层厚度；(5)压焊电极沟填埋厚层聚酰亚胺作为电极垫层；(6)通过两步曝光、显影技术和控制显影时间的方法制作自对准的脊波导电极条。
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