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公开(公告)号：CN101488560B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200910076560.4
申请日：2009-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法，其主要步骤如下：步骤1：在透明导电衬底上沉积一层PIN结构电池的P层或N层；步骤2：在P层或N层上沉积酞菁锌薄膜与非晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层，或酞菁锌薄膜与微晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层；步骤3：在复合本征I层上沉积一层PIN结构电池的N层或P层；步骤4：在所沉积的N层或P层之上制备导电电极；步骤5：对所制备的电池进行连接、测试、封装。本发明具有较好的光吸收性能与较好的电学输运性质，从而提高电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101834229A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010162332.1
申请日：2010-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法，该方法包括：在柔性衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，对本征层的起始层进行氢等离子体刻蚀；沉积完P型层后，将电池从反应室取出，用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明，能改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能，同时处理过程简便易行，具有低成本可规模化生产的优点。
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公开(公告)号：CN102176496B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110033772.1
申请日：2011-01-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20 , C30B25/16 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底清洗干净，然后放入等离子体增强型化学气相沉积系统，烘烤并抽高真空；步骤2：在衬底上制作中间层；步骤3：在中间层上制作电极层，其是通过氢气调制本征层(I层)能带结构改进太阳电池的光吸收性能和界面性能，进而提高电池的效率。
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公开(公告)号：CN102176496A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110033772.1
申请日：2011-01-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20 , C30B25/16 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底清洗干净，然后放入等离子体增强型化学气相沉积系统，烘烤并抽高真空；步骤2：在衬底上制作中间层；步骤3：在中间层上制作电极层，其是通过氢气调制本征层(I层)能带结构改进太阳电池的光吸收性能和界面性能，进而提高电池的效率。
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公开(公告)号：CN101820004A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010162344.4
申请日：2010-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 本发明公开了一种光电分离的太阳能电池背反射器，包括透明导电薄膜(3)、透明衬底(4)和高反射材料(5)三层结构，其中透明衬底(4)一侧没有织构，而另一侧有织构，透明导电薄(3)沉积在透明衬底(4)没有织构的一侧，高反射材料(5)沉积在透明衬底(4)有织构的一侧。利用本发明，解决了电池光吸收与电学输运之间的矛盾，既能够有效提高太阳能电池的光吸收，又能保持较好的电学性能，从而提高电池的光电转换效率，同时还具有成本低，可规模化生产的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101800268A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010117751.3
申请日：2010-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种改进非晶硅太阳电池性能的方法，其特征在于，该方法通过改进非晶硅薄膜太阳电池i/p界面来实现，是在p层为纳米硅的条件下，在非晶硅薄膜太阳电池的i/p界面处插入纳米硅缓冲层，形成双纳米硅层结构。将双纳米硅层结构应用于电池后，开路电压与短路电流都得到了改进，电池转换效率有较大的提高。这种i/p界面处理方法没有碳掺杂，稳定性更好，简便易行，便于推广。另外采用这种方法可以不用甲烷，节省原材料的使用，降低原材料成本；同时可以免去PECVD系统的一个甲烷气路及相关设施，将极大的降低设备成本，对太阳能电池的生产和推广使用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN101814557B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200910078560.8
申请日：2009-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明一种硅基薄膜叠层电池隧道结的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在不锈钢衬底上，利用等离子体辅助化学气相沉积技术在反应室中依次生长P型层、复合层和N型层，形成隧道结；步骤2：将隧道结在反应室内降至室温，取出；步骤3：用磁控溅射的方法，在隧道结的N型层上生长ITO透明电极。与传统隧道结相比，新型隧道结的整流特性小、电阻小、更加接近欧姆接触。
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公开(公告)号：CN101656274B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810118736.3
申请日：2008-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法，该方法包括：在不透明衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，P型层又分为P层和P+层；在生长P层时，将P层的生长时间延长t秒，在P层生长完毕后，保持氢气流量、温度和辉光功率不变，采用氢等离子体刻蚀方法对P层刻蚀t秒，接着生长P+层；电池从反应室取出后，用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明，处理过程简便易行，既能够有效提高非晶硅薄膜太阳能电池的开路电压，得到大面积高开压的非晶硅薄膜太阳能电池，同时又具有成本低，可规模化生产的优点。
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公开(公告)号：CN101814557A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910078560.8
申请日：2009-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明一种硅基薄膜叠层电池隧道结的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在不锈钢衬底上，利用等离子体辅助化学气相沉积技术在反应室中依次生长P型层、复合层和N型层，形成隧道结；步骤2：将隧道结在反应室内降至室温，取出；步骤3：用磁控溅射的方法，在隧道结的N型层上生长ITO透明电极。与传统隧道结相比，新型隧道结的整流特性小、电阻小、更加接近欧姆接触。
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公开(公告)号：CN102157614A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110028237.7
申请日：2011-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法，该方法通过在非晶硅/微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池之间n/p界面处插入p型非晶硅复合层实现，是在顶电池的n层为非晶硅、底电池p层为纳米硅的叠层电池的在n/p界面处插入p型非晶硅复合层。利用本发明，能减少叠层电池隧穿复合结处的损失，实验结果表明叠层电池的开压等于子电池的开压之和，说明隧穿复合结处没有产生光生载流子的积累。同时调节p型非晶硅复合层的硼烷气体掺杂比和生长时间的方法具有简单易行的优点，便于应用到产业化工艺中。
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