公开(公告)号：CN101656274A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200810118736.3

申请日：2008-08-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 石明吉 ,  曾湘波 ,  张长沙 ,  刘石勇 ,  彭文博 ,  肖海波

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法，该方法包括：在不透明衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，P型层又分为P层和P + 层；在生长P层时，将P层的生长时间延长t秒，在P层生长完毕后，保持氢气流量、温度和辉光功率不变，采用氢等离子体刻蚀方法对P层刻蚀t秒，接着生长P + 层；电池从反应室取出后，用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明，处理过程简便易行，既能够有效提高非晶硅薄膜太阳能电池的开路电压，得到大面积高开压的非晶硅薄膜太阳能电池，同时又具有成本低，可规模化生产的优点。

公开(公告)号：CN101814557B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200910078560.8

申请日：2009-02-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 石明吉 ,  曾湘波 ,  王占国 ,  刘石勇 ,  彭文博 ,  肖海波 ,  张长沙

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明一种硅基薄膜叠层电池隧道结的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在不锈钢衬底上，利用等离子体辅助化学气相沉积技术在反应室中依次生长P型层、复合层和N型层，形成隧道结；步骤2：将隧道结在反应室内降至室温，取出；步骤3：用磁控溅射的方法，在隧道结的N型层上生长ITO透明电极。与传统隧道结相比，新型隧道结的整流特性小、电阻小、更加接近欧姆接触。

公开(公告)号：CN101656274B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200810118736.3

申请日：2008-08-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 石明吉 ,  曾湘波 ,  张长沙 ,  刘石勇 ,  彭文博 ,  肖海波

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法，该方法包括：在不透明衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，P型层又分为P层和P+层；在生长P层时，将P层的生长时间延长t秒，在P层生长完毕后，保持氢气流量、温度和辉光功率不变，采用氢等离子体刻蚀方法对P层刻蚀t秒，接着生长P+层；电池从反应室取出后，用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明，处理过程简便易行，既能够有效提高非晶硅薄膜太阳能电池的开路电压，得到大面积高开压的非晶硅薄膜太阳能电池，同时又具有成本低，可规模化生产的优点。

公开(公告)号：CN101814557A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200910078560.8

申请日：2009-02-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 石明吉 ,  曾湘波 ,  王占国 ,  刘石勇 ,  彭文博 ,  肖海波 ,  张长沙

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明一种硅基薄膜叠层电池隧道结的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在不锈钢衬底上，利用等离子体辅助化学气相沉积技术在反应室中依次生长P型层、复合层和N型层，形成隧道结；步骤2：将隧道结在反应室内降至室温，取出；步骤3：用磁控溅射的方法，在隧道结的N型层上生长ITO透明电极。与传统隧道结相比，新型隧道结的整流特性小、电阻小、更加接近欧姆接触。

公开(公告)号：CN101488560B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200910076560.4

申请日：2009-01-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张长沙 ,  王占国 ,  石明吉 ,  彭文博 ,  刘石勇 ,  肖海波 ,  廖显伯 ,  孔光临 ,  曾湘波

IPC: H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 一种有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法，其主要步骤如下：步骤1：在透明导电衬底上沉积一层PIN结构电池的P层或N层；步骤2：在P层或N层上沉积酞菁锌薄膜与非晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层，或酞菁锌薄膜与微晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层；步骤3：在复合本征I层上沉积一层PIN结构电池的N层或P层；步骤4：在所沉积的N层或P层之上制备导电电极；步骤5：对所制备的电池进行连接、测试、封装。本发明具有较好的光吸收性能与较好的电学输运性质，从而提高电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN101488560A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910076560.4

申请日：2009-01-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张长沙 ,  王占国 ,  石明吉 ,  彭文博 ,  刘石勇 ,  肖海波 ,  廖显伯 ,  孔光临 ,  曾湘波

IPC: H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 一种有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法，其主要步骤如下：步骤1：在透明导电衬底上沉积一层PIN结构电池的P层或N层；步骤2：在P层或N层上沉积酞菁锌薄膜与非晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层，或酞菁锌薄膜与微晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层；步骤3：在复合本征I层上沉积一层PIN结构电池的N层或P层；步骤4：在所沉积的N层或P层之上制备导电电极；步骤5：对所制备的电池进行连接、测试、封装。本发明具有较好的光吸收性能与较好的电学输运性质，从而提高电池的光电转换效率。