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公开(公告)号：CN102176496B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110033772.1
申请日：2011-01-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20 , C30B25/16 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底清洗干净，然后放入等离子体增强型化学气相沉积系统，烘烤并抽高真空；步骤2：在衬底上制作中间层；步骤3：在中间层上制作电极层，其是通过氢气调制本征层(I层)能带结构改进太阳电池的光吸收性能和界面性能，进而提高电池的效率。
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公开(公告)号：CN102176496A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110033772.1
申请日：2011-01-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20 , C30B25/16 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底清洗干净，然后放入等离子体增强型化学气相沉积系统，烘烤并抽高真空；步骤2：在衬底上制作中间层；步骤3：在中间层上制作电极层，其是通过氢气调制本征层(I层)能带结构改进太阳电池的光吸收性能和界面性能，进而提高电池的效率。
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公开(公告)号：CN101820004A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010162344.4
申请日：2010-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 本发明公开了一种光电分离的太阳能电池背反射器，包括透明导电薄膜(3)、透明衬底(4)和高反射材料(5)三层结构，其中透明衬底(4)一侧没有织构，而另一侧有织构，透明导电薄(3)沉积在透明衬底(4)没有织构的一侧，高反射材料(5)沉积在透明衬底(4)有织构的一侧。利用本发明，解决了电池光吸收与电学输运之间的矛盾，既能够有效提高太阳能电池的光吸收，又能保持较好的电学性能，从而提高电池的光电转换效率，同时还具有成本低，可规模化生产的优点。
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公开(公告)号：CN101800268A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010117751.3
申请日：2010-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种改进非晶硅太阳电池性能的方法，其特征在于，该方法通过改进非晶硅薄膜太阳电池i/p界面来实现，是在p层为纳米硅的条件下，在非晶硅薄膜太阳电池的i/p界面处插入纳米硅缓冲层，形成双纳米硅层结构。将双纳米硅层结构应用于电池后，开路电压与短路电流都得到了改进，电池转换效率有较大的提高。这种i/p界面处理方法没有碳掺杂，稳定性更好，简便易行，便于推广。另外采用这种方法可以不用甲烷，节省原材料的使用，降低原材料成本；同时可以免去PECVD系统的一个甲烷气路及相关设施，将极大的降低设备成本，对太阳能电池的生产和推广使用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN101488560B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200910076560.4
申请日：2009-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法，其主要步骤如下：步骤1：在透明导电衬底上沉积一层PIN结构电池的P层或N层；步骤2：在P层或N层上沉积酞菁锌薄膜与非晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层，或酞菁锌薄膜与微晶硅薄膜的PIN结构的复合本征I层；步骤3：在复合本征I层上沉积一层PIN结构电池的N层或P层；步骤4：在所沉积的N层或P层之上制备导电电极；步骤5：对所制备的电池进行连接、测试、封装。本发明具有较好的光吸收性能与较好的电学输运性质，从而提高电池的光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101834229A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010162332.1
申请日：2010-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法，该方法包括：在柔性衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，对本征层的起始层进行氢等离子体刻蚀；沉积完P型层后，将电池从反应室取出，用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明，能改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能，同时处理过程简便易行，具有低成本可规模化生产的优点。
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公开(公告)号：CN101814557B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200910078560.8
申请日：2009-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明一种硅基薄膜叠层电池隧道结的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在不锈钢衬底上，利用等离子体辅助化学气相沉积技术在反应室中依次生长P型层、复合层和N型层，形成隧道结；步骤2：将隧道结在反应室内降至室温，取出；步骤3：用磁控溅射的方法，在隧道结的N型层上生长ITO透明电极。与传统隧道结相比，新型隧道结的整流特性小、电阻小、更加接近欧姆接触。
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公开(公告)号：CN101656274B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810118736.3
申请日：2008-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法，该方法包括：在不透明衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，P型层又分为P层和P+层；在生长P层时，将P层的生长时间延长t秒，在P层生长完毕后，保持氢气流量、温度和辉光功率不变，采用氢等离子体刻蚀方法对P层刻蚀t秒，接着生长P+层；电池从反应室取出后，用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明，处理过程简便易行，既能够有效提高非晶硅薄膜太阳能电池的开路电压，得到大面积高开压的非晶硅薄膜太阳能电池，同时又具有成本低，可规模化生产的优点。
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公开(公告)号：CN101814557A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910078560.8
申请日：2009-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明一种硅基薄膜叠层电池隧道结的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在不锈钢衬底上，利用等离子体辅助化学气相沉积技术在反应室中依次生长P型层、复合层和N型层，形成隧道结；步骤2：将隧道结在反应室内降至室温，取出；步骤3：用磁控溅射的方法，在隧道结的N型层上生长ITO透明电极。与传统隧道结相比，新型隧道结的整流特性小、电阻小、更加接近欧姆接触。
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公开(公告)号：CN101656274A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200810118736.3
申请日：2008-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法，该方法包括：在不透明衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，P型层又分为P层和P + 层；在生长P层时，将P层的生长时间延长t秒，在P层生长完毕后，保持氢气流量、温度和辉光功率不变，采用氢等离子体刻蚀方法对P层刻蚀t秒，接着生长P + 层；电池从反应室取出后，用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明，处理过程简便易行，既能够有效提高非晶硅薄膜太阳能电池的开路电压，得到大面积高开压的非晶硅薄膜太阳能电池，同时又具有成本低，可规模化生产的优点。
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