-
公开(公告)号：CN100341214C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200510059189.2
申请日：2005-03-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法，包括如下步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上外延生长磷化铟缓冲层；步骤2：采用PECVD法在磷化铟缓冲层上生长二氧化硅层，光刻制备出两条形的掩模图形；步骤3：采用MOCVD法在磷化铟缓冲层上外延生长激光器结构；步骤4：在激光器结构上制备布拉格光栅；步骤5：在布拉格光栅上二次外延光限制层和接触层；步骤6：光刻，形成脊型波导；步骤7：在脊型波导的两侧及上面和激光器结构的表面生长二氧化硅层；步骤8：腐蚀掉脊型波导上面的二氧化硅层，形成电极窗口；步骤9：在器件的整个上表面溅射钛/铂/金；步骤10：背面减薄，蒸发金/锗/镍n面电极，完成器件的制作。
-
公开(公告)号：CN1780076A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410009859.5
申请日：2004-11-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法，涉及半导体技术，是一种产生超短光脉冲的多量子阱半导体分布反馈激光器与级联双电吸收调制器的单片集成器件的制作工艺。该方法包括：a)将多量子阱半导体分布反馈激光器与级联双电吸收调制器在同一磷化铟衬底上进行单片集成；b)采用选择区域生长法一次外延生长出铟镓砷磷集成器件多量子阱有源区；c)在集成器件的末级套刻出光窗口，在随后的接触层外延生长中，将在出光窗口处填埋磷化铟；d)采用双台阶梯脊波导结构；e)采用厚层负光敏性聚酰亚胺电极电层深坑填埋、固化。本发明集成器件可作为超短光脉冲光源用于光时分复用(OTDM)和光孤子通信系统。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1834600A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200510056347.9
申请日：2005-03-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于级联电吸收调制器产生超短光脉冲的测试夹具，其特征在于，包括：一架体，该架体为一边开口的框体，在该框体的底面固接有一底板；两射频同轴连接器，该射频同轴连接器固定在该架体的框体的开口两侧端，该射频同轴连接器均朝向架体之外；两段微带线，该两段微带线固定在架体上的底板上，一端与同轴连接器连接，该微带线与夹具上的射频同轴连接器垂直；两个电阻，该电阻分别固定在两段微带线之间、微带线的端部，并与微带线用金丝线连接，该两个电阻之间有一预定距离。
-
公开(公告)号：CN1779545A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410094766.7
申请日：2004-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于电吸收调制器光开关技术产生超短光脉冲的方法，包括如下步骤：采用选择区域生长法将分布反馈激光器与两级联双电吸收调制器在磷化铟衬底上进行单片集成；将分布反馈激光器与两级联双电吸收调制器单片集成器件芯片烧结在导电性能良好的热沉上，引出电极；将烧结在热沉上的芯片焊在测试和校准用金属底板上；将阻抗匹配的微带线焊接在金属底板上；将高频正弦调制信号通过阻抗匹配的微带线加至一电吸收调制器或另一电吸收调制器的高频电极上；为进一步压缩脉冲宽度，将同一高频正弦调制信号通过相位延迟装置加载至两个电吸收调制器的高频电极上。
-
公开(公告)号：CN100416951C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200410009859.5
申请日：2004-11-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法，涉及半导体技术，是一种产生超短光脉冲的多量子阱半导体分布反馈激光器与级联双电吸收调制器的单片集成器件的制作工艺。该方法包括：a)将多量子阱半导体分布反馈激光器与级联双电吸收调制器在同一磷化铟衬底上进行单片集成；b)采用选择区域生长法一次外延生长出铟镓砷磷集成器件多量子阱有源区；c)在集成器件的末级套刻出光窗口，在随后的接触层外延生长中，将在出光窗口处填埋磷化铟；d)采用双台阶梯脊波导结构；e)采用厚层负光敏性聚酰亚胺电极电层深坑填埋、固化。本发明集成器件可作为超短光脉冲光源用于光时分复用(OTDM)和光孤子通信系统。
-
公开(公告)号：CN1838493A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200510059189.2
申请日：2005-03-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法，包括如下步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上外延生长磷化铟缓冲层；步骤2：采用PECVD法在磷化铟缓冲层上生长二氧化硅层，光刻制备出两条形的掩模图形；步骤3：采用MOCVD法在磷化铟缓冲层上外延生长激光器结构；步骤4：在激光器结构上制备布拉格光栅；步骤5：在布拉格光栅上二次外延光限制层和接触层；步骤6：光刻，形成脊型波导；步骤7：在脊型波导的两侧及上面和激光器结构的表面生长二氧化硅层；步骤8：腐蚀掉脊型波导上面的二氧化硅层，形成电极窗口；步骤9：在器件的整个上表面溅射钛/铂/金；步骤10：背面减薄，蒸发金/锗/镍n面电极，完成器件的制作。
-
公开(公告)号：CN1905297A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200510012265.4
申请日：2005-07-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种用于光时分复用系统的单片集成光发射器的制作方法，包括如下步骤：选择一磷化铟衬底；在磷化铟衬底上采用在一次选择区域外延生长法制作多量子阱有源区；在多量子阱有源区的上面，靠近有源区的一端的三分之一制作光栅；在多量子阱有源区和光栅上生长光限制层；在光限制层生长电接触层；在电接触层上制作P面电极；采用湿法化学腐蚀法在P面电极上纵向腐蚀出两条电隔离沟，该两条电隔离沟的中间为第一电吸收调制器、一侧为第二电吸收调制器、另一侧为分布反馈激光器；在整个管芯的底部蒸镀N面电极；在整个管芯的一端蒸镀抗反射膜，另一端蒸镀高反射膜，完成管芯的制作；将上述管芯烧结在一铜质热沉上，完成整个器件的制作。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.033 seconds)
