公开(公告)号：CN103000775A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210550029.8

申请日：2012-12-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 谢海忠 ,  卢鹏志 ,  耿雪妮 ,  杨华 ,  李璟 ,  伊晓燕 ,  王军喜 ,  王国宏 ,  李晋闽

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/16

Abstract: 一种氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底的侧面用激光打孔，形成光子晶体结构；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，形成台面；步骤4：在ITO层上制备P型电极；步骤5：在台面上制备N型电极，完成制备。

公开(公告)号：CN102544289A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210056638.8

申请日：2012-03-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 田婷 ,  张逸韵 ,  耿雪妮 ,  李璟 ,  伊晓燕 ,  王国宏

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/00

Abstract: 一种将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延结构；步骤2：配制一预定比例的混合溶液，将外延结构表面浸入混合溶液中，随即捞出；步骤3：烘干，从而在外延结构的表面形成规则排列的由混合溶液析出的颗粒掩膜；步骤4：以所述的颗粒掩膜作为掩膜，对外延结构表面进行刻蚀，使得外延结构表面粗糙化；步骤5：清洗去掉外延结构上的掩膜，完成粗化方法的制备。本发明的方法是与后工艺相互配合，可以提高发光二极管芯片的提取效率。该方法还具有制作工艺简单、成本极低，而且比较环保等优点。

公开(公告)号：CN102544289B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210056638.8

申请日：2012-03-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 田婷 ,  张逸韵 ,  耿雪妮 ,  李璟 ,  伊晓燕 ,  王国宏

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/00

Abstract: 一种将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延结构；步骤2：配制一预定比例的混合溶液，将外延结构表面浸入混合溶液中，随即捞出；步骤3：烘干，从而在外延结构的表面形成规则排列的由混合溶液析出的颗粒掩膜；步骤4：以所述的颗粒掩膜作为掩膜，对外延结构表面进行刻蚀，使得外延结构表面粗糙化；步骤5：清洗去掉外延结构上的掩膜，完成粗化方法的制备。本发明的方法是与后工艺相互配合，可以提高发光二极管芯片的提取效率。该方法还具有制作工艺简单、成本极低，而且比较环保等优点。