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公开(公告)号：CN113299806A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110555159.X
申请日：2021-05-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于平面衬底的倒装RCLED芯片及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上制备设置有凸台与n‑GaN层的外延结构，并制备透明导电层。在凸台一侧的n‑GaN层上制备第一N电极层以及在透明导电层上制备第一P电极层；制备第一反射镜；刻蚀所述第一反射镜，制备第二N电极层以及第二P电极层，并制备N电极互联区与P电极互联区，形成N电极与P电极；在衬底底部制备第二反射镜，形成所述基于平面衬底的倒装RCLED芯片。第一反射镜与第二反射镜均包括分布式布拉格反射镜，并形成法布里‑珀罗谐振腔，进而实现LED器件光谱变窄和光汇聚。本发明使用蓝宝石等价格低廉的材料作为衬底，提供了一种不需要进行剥离、转移等复杂工艺的制备方法，提高生产效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN113410363B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110674991.1
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种Micro LED芯片结构及其制备方法、显示装置，该芯片结构包括：第一衬底；反射镜，设置在第一衬底上；外延结构，设置在反射镜的表面上，包括位于外延结构顶部的n‑GaN层，用于发出光信号；钝化层，覆盖外延结构侧壁，并覆盖反射镜表面剩余部分；钝化层与n‑GaN层形成平面，剩余部分为反射镜表面未被外延覆盖的部分；介质层，设置在钝化层与n‑GaN层形成的平面上，用于当外部电压高于阈值电压时，为Micro LED芯片结构提供电注入通道；透明电极层，设置在介质层上，用于多个Micro LED芯片结构之间形成电连接，并用于透过外延结构发出的光信号。本发明采用非接触式的电注入结构，采用透明电极层作为光传输通道和芯片结构的电极，避免因单独制备互联电路而引起的光的吸收损耗。
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公开(公告)号：CN113410363A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110674991.1
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种Micro LED芯片结构及其制备方法、显示装置，该芯片结构包括：第一衬底；反射镜，设置在第一衬底上；外延结构，设置在反射镜的表面上，包括位于外延结构顶部的n‑GaN层，用于发出光信号；钝化层，覆盖外延结构侧壁，并覆盖反射镜表面剩余部分；钝化层与n‑GaN层形成平面，剩余部分为反射镜表面未被外延覆盖的部分；介质层，设置在钝化层与n‑GaN层形成的平面上，用于当外部电压高于阈值电压时，为Micro LED芯片结构提供电注入通道；透明电极层，设置在介质层上，用于多个Micro LED芯片结构之间形成电连接，并用于透过外延结构发出的光信号。本发明采用非接触式的电注入结构，采用透明电极层作为光传输通道和芯片结构的电极，避免因单独制备互联电路而引起的光的吸收损耗。
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