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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101630700A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200810116739.3
申请日：2008-07-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种用于高倍聚光太阳电池系统的软键合方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在一太阳电池芯片的底部固接一软键合材料层，该软键合材料层为低熔点金属，该低熔点金属在电池的工作温度区域内为液态，低于电池的工作温度时为固态；步骤2：将软键合材料层的另一面固接在管壳的上面；步骤3：将管壳的另一面绝缘固定在一散热器上，完成软键合工艺。
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公开(公告)号：CN101740358A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910241692.8
申请日：2009-12-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：在普通玻璃衬底上用磁控溅射沉积制作铝薄膜，形成样品；步骤2：将样品在空气中暴露以制作氧化膜；步骤3：将制作有氧化膜样品的表面利用磁控溅射沉积非晶硅薄膜；步骤4：利用快速热处理设备，将制作有非晶硅薄膜的样品进行退火处理，完成多晶硅薄膜的制作。
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公开(公告)号：CN101814538B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200910078559.5
申请日：2009-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明一种单片集成的微型太阳电池阵列，其中包括：一衬底；掺杂层，该掺杂层生长在衬底的上面的两侧；一太阳电池功能层，生长在掺杂层的上面；一帽子层，生长在太阳电池功能层的上面，该帽子层的面积小于太阳电池功能层的面积，与太阳电池功能层一侧端对齐；一下绝缘填充层，填充在掺杂层之间，且覆盖于太阳电池功能层的一端及帽子层一端和部分表面；一金属遮光层，生长于下绝缘填充层中间之上，其面积小于下绝缘填充层的面积；一上绝缘填充层，覆盖于下绝缘填充层和金属遮光层；一金属电极，生长于一侧的掺杂层之上，且覆盖于上绝缘填充层及大部分帽子层的上表面。
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公开(公告)号：CN101814538A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910078559.5
申请日：2009-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明一种单片集成的微型太阳电池阵列，其中包括：一衬底；掺杂层，该掺杂层生长在衬底的上面的两侧；一太阳电池功能层，生长在掺杂层的上面；一帽子层，生长在太阳电池功能层的上面，该帽子层的面积小于太阳电池功能层的面积，与太阳电池功能层一侧端对齐；一下绝缘填充层，填充在掺杂层之间，且覆盖于太阳电池功能层的一端及帽子层一端和部分表面；一金属遮光层，生长于下绝缘填充层中间之上，其面积小于下绝缘填充层的面积；一上绝缘填充层，覆盖于下绝缘填充层和金属遮光层；一金属电极，生长于一侧的掺杂层之上，且覆盖于上绝缘填充层及大部分帽子层的上表面。
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公开(公告)号：CN101320127A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200710100245.1
申请日：2007-06-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B19/00
Abstract: 本发明涉及聚光器技术领域，公开了一种组合式聚光器，该聚光器包括一级折射式聚光器和二级反射式聚光器两个子聚光器，所述二级反射式聚光器安装于所述一级折射式聚光器的下方，入射光线经过所述一级折射式聚光器折射后直接会聚到所述一级折射式聚光器的光轴焦点上，或者光线经过所述一级折射式聚光器折射后，再经过所述二级反射式聚光器反射会聚到所述一级折射式聚光器的光轴焦点上。利用本发明，使得偏移的光线再次经过二级反射到光轴焦点上，解决了跟踪系统精度不够的问题，提高了聚光系统的可靠性和安全性。
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