-
公开(公告)号：CN119767807A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411756185.9
申请日：2024-12-03
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H10F30/282 , H10F77/12 , H10F77/14
Abstract: 本发明涉及一种基于量子隧穿机制的二维材料光电探测器，包括栅极、绝缘层、P型层、N型层、保护层、源极引出端和漏极引出端。P型层、N型层、保护层依次按照从下到上的顺序机械剥离干法转移在栅极和绝缘层上，P型层为宽带隙二维材料，N型层为窄带隙二维材料；光子从顶部入射，P型层上的阳极引出端接电源的正极，N型层上的漏极引出端接电源的负极，光子被PN结空间电荷区所吸收。本发明工艺简单，设计紧凑，同时在高温工作环境下可大幅度降低暗电流和亚阈值摆幅，提高整流比和开关比。
-
公开(公告)号：CN109545883B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201910021599.X
申请日：2019-01-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0296 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种低暗电流台面型雪崩单光子探测器及制备方法，包括P型衬底、I型吸收倍增层、N型层。P型衬底、I型吸收倍增层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从P型衬底入射，P型衬底上接电源的阴极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层外接电源的阳极。本发明结构简单，易于制备，同时可降低由载流子浓度差和缺陷浓度引起的暗计数，提高信噪比。
-
公开(公告)号：CN114545620B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210123406.3
申请日：2022-02-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种对非理想刻蚀工艺制备介质超表面的补偿设计方法，该方法基于介质超表面的结构，制备工艺以及等效介质理论提出。通过本发明，一旦知晓了刻蚀工艺在设计要求的刻蚀深度下，不同线宽的版图刻蚀出来的结构形状和尺寸，以本发明给出的补偿方法为指导，在该加工工艺参数不变的前提下，对曝光版图的图形尺寸进行调整，就能够一定程度上减小不理想的刻蚀工艺带来的效率损失。本发明中修正补偿的参数仅包括所设计的曝光版图中图形尺寸的参数。该补偿设计方法能够减少研发基于刻蚀工艺制备介质超表面的周期和成本，并且能够提高基于刻蚀工艺制备的介质超表面的性能。
-
公开(公告)号：CN113013268A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110100758.2
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面透镜的小像元红外焦平面探测器。基于超表面透镜的小像元红外焦平面探测器包括红外焦平面探测器和形成在衬底处的超表面透镜。该超表面透镜由许多亚波长尺度的小圆柱构成，小圆柱的位置和直径大小按照相位规律排布，该超表面可以调制入射光的波前，使其能够聚焦到探测器像元的吸收层上。相比传统的红外焦平面探测器，本发明能够实现亚波长量级的聚焦光斑，可以将像元尺寸减小至波长量级，有利于平面式焦平面器件往更小的像元，更高的像元密度发展。与此同时，能在器件的光响应不变或提高的情况下，降低器件的暗电流，提高信噪比，抑制像元之间的光电串扰。
-
公开(公告)号：CN119696744A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411783360.3
申请日：2024-12-06
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H04L5/00 , H04L5/02 , H04B10/70 , G06F18/2451
Abstract: 本发明公开了增加非交错多维度信道复用超表面的复用信道数量的方法，通过基于第一类瑞利‑索末菲公式优化的GS算法，可以得到目标超表面所需要产生的相位分布信息，并利用色散的琼斯矩阵和梯度下降法，能将多个相位分布信息优化成所需要的超原子的信息，再和超原子的相位数据库进行比对，最终形成目标超表面。通过本发明方法所生产的非交错超表面可以利用的维度能扩展至三个，分别是波长、偏振态以及衍射距离，并能够同时利用三个偏振信道、三个波长信道以及两个重建距离，将复用信道数量增加到了18个。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115172508A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210848023.2
申请日：2022-07-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种耐击穿平面型雪崩单光子探测器及其制备方法，包括衬底、缓冲层、P型层、I型层、N型层、阴极引出端和阳极引出端。缓冲层和P型层依次生长在衬底上、N型层和I型层形成在P型层中；光子从P型衬底入射，P型衬底上的阴极引出端接电源的负极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层上的阳极引出端接电源的正极。本发明结构简单，易于制备，可以使器件在高偏压下获得高增益。
-
公开(公告)号：CN114545620A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210123406.3
申请日：2022-02-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种对非理想刻蚀工艺制备介质超表面的补偿设计方法，该方法基于介质超表面的结构，制备工艺以及等效介质理论提出。通过本发明，一旦知晓了刻蚀工艺在设计要求的刻蚀深度下，不同线宽的版图刻蚀出来的结构形状和尺寸，以本发明给出的补偿方法为指导，在该加工工艺参数不变的前提下，对曝光版图的图形尺寸进行调整，就能够一定程度上减小不理想的刻蚀工艺带来的效率损失。本发明中修正补偿的参数仅包括所设计的曝光版图中图形尺寸的参数。该补偿设计方法能够减少研发基于刻蚀工艺制备介质超表面的周期和成本，并且能够提高基于刻蚀工艺制备的介质超表面的性能。
-
公开(公告)号：CN114420783A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210123375.1
申请日：2022-02-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于双雪崩机制的台面型雪崩单光子探测器，包括衬底、缓冲层、P型层、第一阻挡层、第一吸收层、第二阻挡层、第二吸收层、I型层、N型层、钝化层、阴极引出端和阳极引出端。缓冲层、P型层、第一阻挡层、第一吸收层、第二阻挡层、第二吸收层、I型层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从衬底入射，P型层上的阴极引出端接电源的负极，N型层上的阳极引出端接电源的正极，光子被第一吸收层，第二吸收层所吸收，且在第一吸收层和I型层进行倍增。本发明工艺简单，设计紧凑，同时在高温工作环境下可大幅度降低暗电流，提高增益。
-
公开(公告)号：CN110824603A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911093529.1
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开了一种用于定向辐射荧光的纳米手性光学天线及制备方法，包括衬底、金属微结构和自由电子。金属微结构的手性单元按照一定的方式排布在衬底上，自由电子则垂直打在金属微结构上。本发明通过用不同能量的自由电子来激励手性金属微结构产生手性阴极荧光辐射，然后利用纳米手性光学天线阵列结构对电磁波的导向作用来对产生的手性偏振光的发射方向进行控制。本发明成功将不同手性的阴极荧光发射到不同的空间立体角上，实现了左旋与右旋偏振光的分离，并可以通过改变单元的排布来控制发射的角度，提升了亚波长尺度手性偏振光的可操作性，便于降低光电器件的尺寸，提高集成性。
-
公开(公告)号：CN109545883A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201910021599.X
申请日：2019-01-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0296 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种低暗电流台面型雪崩单光子探测器及制备方法，包括P型衬底、I型吸收倍增层、N型层。P型衬底、I型吸收倍增层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从P型衬底入射，P型衬底上接电源的阴极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层外接电源的阳极。本发明结构简单，易于制备，同时可降低由载流子浓度差和缺陷浓度引起的暗计数，提高信噪比。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.025 seconds)
