公开(公告)号：CN119767807A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411756185.9

申请日：2024-12-03

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李冠海 ,  宋宇鑫 ,  郁菲茏 ,  陈金 ,  李鑫

IPC: H10F30/282 ,  H10F77/12 ,  H10F77/14

Abstract: 本发明涉及一种基于量子隧穿机制的二维材料光电探测器，包括栅极、绝缘层、P型层、N型层、保护层、源极引出端和漏极引出端。P型层、N型层、保护层依次按照从下到上的顺序机械剥离干法转移在栅极和绝缘层上，P型层为宽带隙二维材料，N型层为窄带隙二维材料；光子从顶部入射，P型层上的阳极引出端接电源的正极，N型层上的漏极引出端接电源的负极，光子被PN结空间电荷区所吸收。本发明工艺简单，设计紧凑，同时在高温工作环境下可大幅度降低暗电流和亚阈值摆幅，提高整流比和开关比。

公开(公告)号：CN119768039A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411755760.3

申请日：2024-12-03

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李冠海 ,  杨佳冀 ,  陈金 ,  郁菲茏 ,  李鑫 ,  宋宇鑫 ,  刘俊彤

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明涉及一种基于离子迁移的可重构光电结构及其制作方法。该可重构光电结构包括衬底、半导体介质层、金属—半导体界面、金属电极、兼容性连接端、钝化层；所述可重构结构为：在衬底上有一半导体介质层，所述半导体介质层一端通过半导体—金属界面与金属电极连接；半导体介质层另一端作为兼容性连接端；所述钝化层覆盖在半导体介质层上。本发明通过高价态金属阳离子的引入显著改变了能带结构，且在结构和工艺上与电路集成具有良好的兼容性，为忆阻器的设计和应用提供了新的思路，并展现了其在仿生神经网络和复杂计算任务中的广泛应用前景。