公开(公告)号：CN109545883B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201910021599.X

申请日：2019-01-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李冠海 ,  陈碧城 ,  欧凯 ,  郁菲茏 ,  赵增月 ,  陈金 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种低暗电流台面型雪崩单光子探测器及制备方法，包括P型衬底、I型吸收倍增层、N型层。P型衬底、I型吸收倍增层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从P型衬底入射，P型衬底上接电源的阴极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层外接电源的阳极。本发明结构简单，易于制备，同时可降低由载流子浓度差和缺陷浓度引起的暗计数，提高信噪比。

公开(公告)号：CN109545883A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201910021599.X

申请日：2019-01-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李冠海 ,  陈碧城 ,  欧凯 ,  郁菲茏 ,  赵增月 ,  陈金 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种低暗电流台面型雪崩单光子探测器及制备方法，包括P型衬底、I型吸收倍增层、N型层。P型衬底、I型吸收倍增层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从P型衬底入射，P型衬底上接电源的阴极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层外接电源的阳极。本发明结构简单，易于制备，同时可降低由载流子浓度差和缺陷浓度引起的暗计数，提高信噪比。

公开(公告)号：CN209447826U

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201920036772.9

申请日：2019-01-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李冠海 ,  陈碧城 ,  欧凯 ,  郁菲茏 ,  赵增月 ,  陈金 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本专利公开了一种低暗电流台面型雪崩单光子探测器，包括P型衬底、I型吸收倍增层、N型层。P型衬底、I型吸收倍增层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从P型衬底入射，P型衬底上接电源的阴极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层外接电源的阳极。本专利结构简单，易于制备，同时可降低由载流子浓度差和缺陷浓度引起的暗计数，提高信噪比。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利